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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Engineering and Microscopic Mechanism of Quantum Emitters Induced by Heavy Ions in hBN 期刊论文 ACS PHOTONICS, 2021, 卷号: 8, 期号: 10, 页码: 2912-2922 作者:  Gu, Rui;  Wang, Lei;  Zhu, Huiping;  Han, Shuangping;  Bai, Yurong 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2021/12/13 heavy ion irradiation  hBN  quantum emitters  PL mapping  production efficiency  point defects   Radiation effects of heavy ions on the static and dynamic characteristics of 850 nm high-speed vertical cavity surface emitting lasers 期刊论文 JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2021, 卷号: 237, 页码: 7 作者:  Shan, Xiaoting;  Li, Bo;  Zhao, Fazhan;  Wang, Lei;  Sun, Yun 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2021/12/09 VCSEL  Radiation effects  Dynamic characteristics  Quantum wells   Investigation of Threshold Ion Range for Accurate Single Event Upset Measurements in Both SOI and Bulk Technologies 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2014, 卷号: 61, 页码: 1459-1467 作者:  Luo, Jie;  Yao, Huijun;  Sun, Youmei;  Xi, Kai;  Geng, Chao 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/07/05 Bragg Peak  Ion Range  Silicon-on-insulator  Single Event Upset   Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices 会议论文 作者:  Liu, Tianqi;  Geng, Chao;  Zhang, Zhangang;  Zhao, Fazhan;  Hou, Mingdong 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/08/20 Single event upset  temperature dependence  energy deposition  Monte Carlo simulation  SRAM  heavy ions  bulk and SOI technologies   Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices 会议论文 作者:  Liu, Jie;  Sun, Youmei;  Tong, Teng;  Zhao, Fazhan;  Zhang, Zhangang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/08/20 Single event upset  temperature dependence  energy deposition  Monte Carlo simulation  SRAM  heavy ions  bulk and SOI technologies   Experimental study on heavy ion single event effects in SOI SRAMs 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2009, 卷号: 267, 期号: 1, 页码: 83-86 作者:  Li Yonghong;  He Chaohui;  Zhao Fazhan;  Guo Tianlei;  Liu Gang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 SOI SRAM  Single event upset  Single event upset rate