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浏览/检索结果: 共29条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane algan/gan heterostructures 期刊论文 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 504-508 作者:  Chen, Z;  Chua, SJ;  Yuan, HR;  Liu, XL;  Lu, DC 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Metalorganic chemical vapor deposition  Semiconducting iii-v materials   Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 504-508 Chen, Z; Chua, SJ; Yuan, HR; Liu, XL; Lu, DC; Han, PD; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：269/35  |  提交时间：2010/03/09 metalorganic chemical vapor deposition   Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：83/1  |  提交时间：2010/10/29 metalorganic chemical vapor deposition  semiconducting III-V materials  DOPED AL(X)GA1-XN/GAN HETEROSTRUCTURES  CARRIER CONFINEMENT  EFFECT TRANSISTORS  PHOTOLUMINESCENCE  MOBILITY  HETEROJUNCTION  INTERFACE  HFETS   Luminescence study of (11(2)over-bar0) gan film grown by metalorganic chemical-vapor deposition 期刊论文 Journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: 316-319 作者:  Chen, Z;  Lu, DC;  Liu, XL;  Wang, XH;  Han, PD 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91-98 Lu YA; Liu XL; Lu DC; Yuan HR; Hu GQ; Wang XH; Wang ZG; Duan XF 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/08/12 Si(111) substrate  heteroepitaxy  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION LAYERS  BUFFER LAYER  SILICON  SAPPHIRE  NITRIDE  EPITAXY  STRESS  STRAIN   Luminescence study of (11(2)over-bar0) GaN film grown by metalorganic chemical-vapor deposition 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: 316-319 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 MG-DOPED GAN  GALLIUM NITRIDE  PHASE EPITAXY  SUBSTRATE  LAYER   Nitrogen vacancy scattering in gan grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文 Solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074 作者:  Chen, Z;  Yuan, HR;  Lu, DC;  Sun, XH;  Wan, SK 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Nitrogen vacancy scattering  Gan  Mobility  Mocvd   The mechanism of blueshift in excitation-intensity-dependent photo luminescence spectrum of nitride multiple quantum wells 期刊论文 Journal of luminescence, 2002, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 35-38 作者:  Chen, Z;  Lu, DC;  Wang, XH;  Liu, XL;  Yuan, HR 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Excitation transfer mechanism  Gan  Ingan  Mocvd   The structure and current-voltage characteristics of multi-sheet ingan quantum dots grown by a new multi-step method 期刊论文 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 19-24 作者:  Chen, Z;  Lu, DC;  Han, P;  Liu, XL;  Wang, XH 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanostructures  Metalorganic chemical vapor deposition  Nitrides   Investigation of gan layer grown on si(111) substrate using an ultrathin aln wetting layer 期刊论文 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84 作者:  Lu, Y;  Liu, XL;  Lu, DC;  Yuan, HR;  Chen, Z 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Substrates  Heteroepitaxy  Metalorganic chemical vapor deposition  Gallium compounds  Nitrides