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半导体研究所 [295]
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Photoluminescence enhancement of the single InAs quantum dots through plasmonic Au island films
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 115, 期号: 12, 页码: 123104
Wang, HY
;
Dou, XM
;
Yang, S
;
Su, D
;
Jiang, DS
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
;
Sun, BQ
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2015/04/02
Tuning and Identification of Interband Transitions in Monolayer and Bilayer Molybdenum Disulfide Using Hydrostatic Pressure
期刊论文
acs nano, 2014, 卷号: 8, 期号: 7, 页码: 7458-7464
Dou, XM
;
Ding, K
;
Jiang, DS
;
Sun, BQ
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2015/08/21
Single-photon property characterization of 1.3 mu m emissions from InAs/GaAs quantum dots using silicon avalanche photodiodes
期刊论文
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 3633
Zhou, PY
;
Dou, XM
;
Wu, XF
;
Ding, K
;
Li, MF
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
;
Jiang, DS
;
Sun, BQ
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2015/03/25
Photoluminescence studies on self-organized 1.55-mu m InAs/InGaAsP/InP quantum dots under hydrostatic pressure
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 2, 页码: 023510
Zhou, PY
;
Dou, XM
;
Wu, XF
;
Ding, K
;
Luo, S
;
Yang, T
;
Zhu, HJ
;
Jiang, DS
;
Sun, BQ
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2015/03/20
In situ tuning biexciton antibinding-binding transition and fine-structure splitting through hydrostatic pressure in single InGaAs quantum dots
期刊论文
epl, 2014, 卷号: 107, 期号: 2, 页码: 27008
Wu, XF
;
Wei, H
;
Dou, XM
;
He, LX
;
Sun, BQ
;
Ding, K
;
Yu, Y
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
;
Ji, Y
;
Li, SS
;
Jiang, DS
;
Guo, GC
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/03/25
Investigation on the compensation effect of residual carbon impurities in low temperature grown Mg doped GaN films
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 115, 期号: 16, 页码: 163704
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Yang, H
;
Chen, P
;
Liu, ZS
;
Le, LC
;
Li, XJ
;
He, XG
;
Liu, JP
;
Zhang, SM
;
Wang, H
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2015/04/02
Correlation between the structural and cathodoluminescence properties in InGaN/GaN multiple quantum wells with large number of quantum wells
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2014, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 051503
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Jahn, U
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Le, LC
;
He, XG
;
Li, XJ
;
Wang, H
;
Yang, H
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2015/03/25
Control of residual carbon concentration in GaN high electron mobility transistor and realization of high-resistance GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
thin solid films, 2014, 卷号: 564, 页码: 135-139
He, XG
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
;
Le, LC
;
Yang, J
;
Li, XJ
;
Zhang, SM
;
Zhu, JJ
;
Wang, H
;
Yang, H
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2015/03/25
Effects of polarization and p-type GaN resistivity on the spectral response of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells
期刊论文
chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 6, 页码: 068801
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
;
Li, L
;
Wu, LL
;
Le, LC
;
Li, XJ
;
He, XG
;
Wang, H
;
Zhu, JJ
;
Zhang, SM
;
Zhang, BS
;
Yang, H
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/04/02
Suppression of electron leakage by inserting a thin undoped InGaN layer prior to electron blocking layer in InGaN-based blue-violet laser diodes
期刊论文
optics express, 2014, 卷号: 22, 期号: 10, 页码: 11392-11398
Le, LC
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Yang, H
;
Chen, P
;
Liu, ZS
;
Yang, J
;
He, XG
;
Li, XJ
;
Liu, JP
;
Zhu, JJ
;
Zhang, SM
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2015/03/25
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