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科研机构
华南理工大学 [4]
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期刊论文 [3]
会议论文 [1]
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2017 [1]
2016 [2]
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High Mobility Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistor by Aluminum Oxide Passivation Layer
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 页码: 879-882
作者:
Hu, Shiben[1]
;
Lu, Kuankuan[1]
;
Ning, Honglong[1]
;
Zheng, Zeke[1]
;
Zhang, Hongke[1]
收藏
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提交时间:2019/04/24
Aluminum oxide
copper
thin film transistors
High-performance back-channel-etched thin-film transistors with amorphous Si-incorporated SnO2active layer (EI收录)
期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 108
作者:
Liu, Xianzhe[1]
;
Ning, Honglong[1]
;
Chen, Jianqiu[1]
;
Cai, Wei[1]
;
Hu, Shiben[1]
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/04/24
Amorphous films
Amorphous silicon
Thin films
Threshold voltage
Tin oxides
Effect of post treatment for cu-cr source/drain electrodes on a-igzo tfts (EI收录)
期刊论文
Materials, 2016, 卷号: 9, 页码: 1-5
作者:
Hu, Shiben[1]
;
Fang, Zhiqiang[1]
;
Ning, Honglong[1]
;
Tao, Ruiqiang[1]
;
Liu, Xianzhe[1]
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/04/24
Amorphous films
Amorphous semiconductors
Carrier concentration
Copper
Copper alloys
Electrodes
Gallium alloys
Indium
Indium alloys
Interfaces (materials)
Semiconducting indium compounds
Semiconductor materials
Influence of source and drain contacts on the properties of the indium-zinc oxide thin-film transistors based on anodic aluminum oxide gate d (EI收录)
会议论文
Journal of Applied Physics
作者:
Lan, Linfeng[1,2]
;
Xu, Miao[2]
;
Peng, Junbiao[1,2]
;
Xu, Hua[1]
;
Li, Min[1]
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/04/15
Aluminum
Anodic oxidation
Dielectric materials
Electrodes
Electron mobility
Indium
Oxides
Thin film transistors
X ray photoelectron spectroscopy
Zinc
Zinc oxide
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