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Experimental investigation of loss and gain characteristics of an abnormal InxGa1-xAs/GaAs quantum well structure 期刊论文
CHINESE OPTICS LETTERS, 2018, 卷号: 16
作者:  Jia, Yan;  Yu, Qingnan;  Li, Fang;  Wang, Mingqing;  Lu, Wei
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非真空纳米粒子墨水法制备CIGS薄膜太阳电池吸收层 学位论文
2017, 2015
崔鑫
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/06/20
Influence of in content in InGaN barriers on crystalline quality and carrier transport of GaN-based light-emitting diodes (EI收录) 期刊论文
Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 卷号: 49
作者:  Lin, Zhiting[1,2];  Wang, Haiyan[1,2];  Lin, Yunhao[1,2];  Yang, Meijuan[1,2];  Wang, Wenliang[1,2]
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/04/24
Effect of post treatment for cu-cr source/drain electrodes on a-igzo tfts (EI收录) 期刊论文
Materials, 2016, 卷号: 9, 页码: 1-5
作者:  Hu, Shiben[1];  Fang, Zhiqiang[1];  Ning, Honglong[1];  Tao, Ruiqiang[1];  Liu, Xianzhe[1]
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/04/24
Method for Fabricating Amorphous Indium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors With Copper Source and Drain Electrodes (EI收录) 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2015, 卷号: 36, 页码: 342-344
作者:  Zhao, Mingjie[1];  Xu, Miao[2];  Ning, Honglong[1];  Xu, Ruixia[3];  Zou, Jianhua[1]
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/25
Instability of indium zinc oxide thin-film transistors under transmission line pulsed stress (EI收录) 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2014, 卷号: 35, 页码: 1254-1256
作者:  Liu, Yuan[1];  Wu, Wei-Jing[2];  Lei, Zhi-Feng[1];  Wang, Lei[2];  Shi, Qian[1]
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/25
Model of VHg incorporation in arsenic-doped HgCdTe: First-principles calculations (EI收录) 期刊论文
Journal of Electronic Materials, 2013, 卷号: 42, 页码: 1010-1016
作者:  Duan, H.[1];  Dong, Y.Z.[2];  Huang, Y.[3];  Chen, X.S.[3];  Lu, W.[3]
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/25
Low-voltage high-stability indium-zinc oxide thin-film transistor gated by anodized neodymium-doped aluminum (EI收录SCI收录) 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2012, 卷号: 33, 页码: 827-829
作者:  Lan, Linfeng[1];  Zhao, Mingjie[1];  Xiong, Nana[1];  Xiao, Peng[1];  Shi, Wen[1]
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/04/26
InN Nanowire Transistors: Growth, Electronics & Photonics 会议论文
3rd IEEE International Nanoelectronics Conference, City Univ Hong Kong, Hong Kong, 2010-01
作者:  Cheng GS (程国胜)
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2011/03/14
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations 期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:  Li JB
收藏  |  浏览/下载：59/6  |  提交时间：2011/07/05

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