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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Simulation and Optimization of Temperature Distribution in Induction Heating Reactor 期刊论文 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7440-7445 作者:  Mei, Shuzhe;  Wang, Quan;  Xu, Jiankai;  Yin, Haibo;  Xiao, Hongling 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/11 Simulation  Temperature Distribution  Induction Heating   X-Band GaN High Electron Mobility Transistor Power Amplifier on 6H-SiC with 110 W Output Power 期刊论文 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7451-7454 作者:  Wang, Quan;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Jiang, Lijuan 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/11 X-Band  GaN HEMT  Power Amplifier   Gate Leakage and Breakdown Characteristics of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe Delta-Doped Buffer 期刊论文 NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS, 2018, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 185-189 作者:  Hao, Meilan;  Wang, Quan;  Jiang, Lijuan;  Feng, Chun;  Chen, Changxi 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/11 HEMT  Fe Doping  Gate Leakage  Breakdown  PF Emission  FN Tunneling   Trapping Effects Induced by Gate OFF-State Stress in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe-Doped Buffer 期刊论文 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7479-7483 作者:  Hao, Meilan;  Wang, Quan;  Jiang, Lijuan;  Feng, Chun;  Chen, Changxi 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/11 AlGaN/GaN HEMT  Pulsed I-V  Trapping  Gate OFF-State Stress  Fe-Doped  Buffer