×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
微电子研究所 [122]
内容类型
专利 [71]
期刊论文 [35]
会议论文 [14]
成果 [2]
发表日期
2018 [16]
2017 [4]
2016 [12]
2015 [26]
2014 [20]
2013 [15]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共122条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:微电子研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
A fast read retry method for 3D NAND flash memories using novel valley search algorithm
期刊论文
IEICE Electronics Express, 2018
作者:
Huo ZL(霍宗亮)
;
Xu QK(徐启康)
;
Wang Q(王颀)
;
Li QH(李前辉)
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2019/05/22
Modeling and optimization of array leakage in 3 D NAND flash memory
会议论文
作者:
Huo ZL(霍宗亮)
;
Liu PD(刘潘东)
;
Hua WY(华文宇)
;
Xia ZL(夏志良)
;
Song YJ(宋玉洁)
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2019/05/16
Word line interference based data recovery technique for 3D NAND Flash
期刊论文
IEICE Electronics Express, 2018
作者:
Huo ZL(霍宗亮)
;
Wang Q(王颀)
;
Cao HM(曹华敏)
;
Liu F(刘飞)
;
Yang L(杨柳)
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/05/22
半导体器件及其制造方法
专利
专利号: CN201510580584.9, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2015-11-25
作者:
叶甜春
;
霍宗亮
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/03/12
三维半导体器件及其制造方法
专利
专利号: CN201510680212.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-02-24
作者:
叶甜春
;
霍宗亮
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2019/03/12
A 12V Low-Ripple and High-Efficiency Charge Pump with Continuous Regulation Scheme for 3D NAND Flash Memories
会议论文
作者:
Huo ZL(霍宗亮)
;
Huang CC(黄策策)
;
Fu LY(付丽银)
;
Liu F(刘飞)
;
Wang QQ(王乾乾)
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/16
Impact of BEOL Film Deposition on Poly-Si 3D NAND Device Characteristics
会议论文
作者:
Huo ZL(霍宗亮)
;
Jin L(靳磊)
;
Hua ZQ(华子群)
;
Li Y(李远)
;
Hu XL(胡小龙)
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/05/16
Investigation of Reducing Bow during High Aspect Ratio Trench Etching in 3D NAND Flash Memory
会议论文
作者:
Huo ZL(霍宗亮)
;
Liu LP(刘立芃)
;
Xia ZL(夏志良)
;
Yuan Y(袁野)
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/05/16
The Optimization of Gate All Around-L-Shaped Bottom Select Transistor in 3D NAND Flash Memory
期刊论文
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018
作者:
Huo ZL(霍宗亮)
;
Xia ZL(夏志良)
;
Chen GX(陈国星)
;
Zhang Y(张瑜)
;
Jiang DD(姜丹丹)
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2019/05/22
A Novel Program Scheme for Program Disturbance Optimization in 3-D NAND Flash Memory
期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2018
作者:
Huo ZL(霍宗亮)
;
An Zhang
;
Hongtao Liu
;
Zou XQ(邹兴奇)
;
Jin L(靳磊)
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/05/22
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace