QQ客服 官方微博 反馈留言

	Investigation of Reducing Bow during High Aspect Ratio Trench Etching in 3D NAND Flash Memory
	Huo ZL(霍宗亮); Liu LP(刘立芃); Xia ZL(夏志良); Yuan Y(袁野)
	2018-08-15
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/19166]
专题	微电子研究所_存储器研发中心
作者单位	1.长江存储科技有限责任公司 2.中国科学院大学 3.中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Huo ZL,Liu LP,Xia ZL,et al. Investigation of Reducing Bow during High Aspect Ratio Trench Etching in 3D NAND Flash Memory[C]. 见:.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。