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长春光学精密机械与... [66]
内容类型
期刊论文 [60]
会议论文 [6]
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A comparative study of front- and back-illuminated planar InGaAs/InP avalanche photodiodes
期刊论文
Materials Letters, 2022, 卷号: 308, 期号: 4
作者:
Y. R. Chen
;
Z. W. Zhang
;
G. Q. Miao
;
H. Jiang and H. Song
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提交时间:2022/06/13
Optimized Selective-Area p-Type Diffusion for the Back-Illuminated Planar InGaAs/InP Avalanche Photodiodes by a Single Diffusion Process
期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2022, 卷号: 219, 期号: 2, 页码: 6
作者:
Y. R. Chen
;
Z. W. Zhang
;
G. Q. Miao
;
H. Jiang and H. Song
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2022/06/13
High performance inorganic filterless narrowband photodetectors
期刊论文
Materials Letters, 2022, 卷号: 328, 页码: 3
作者:
X. Y. Fan
;
Y. R. Chen
;
Z. W. Zhang
;
G. Q. Miao
;
H. Jiang and H. Song
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提交时间:2023/06/14
The effect of zinc encapsulation on the Zn3P2-related p-type diffusion in semi-insulated InP substrates
期刊论文
Materials Letters, 2022, 卷号: 317, 页码: 4
作者:
Y. R. Chen
;
Z. W. Zhang
;
G. Q. Miao
;
H. Jiang and H. Song
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提交时间:2023/06/14
AlGaN-based UV-C distributed Bragg reflector with a -cavity designed for an external cavity structure electron-beam-pumped VCSEL
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 820
作者:
Y. R. Chen, Z. W. Zhang, G. Q. Miao, H. Jiang, Z. M. Li and H. Song
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提交时间:2021/07/06
Epitaxial growth of polarization-graded AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors on pre-grown AlN templates
期刊论文
Materials Letters, 2020, 卷号: 281, 页码: 4
作者:
Y. R. Chen,Z. W. Zhang,G. Q. Miao,H. Jiang,Z. M. Li and H. Song
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2021/07/06
Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:
Chen, Y. R.
;
Li, Z. M.
;
Zhang, Z. W.
;
Hu, L. Q.
;
Jiang, H.
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提交时间:2019/09/17
Data storage materials
Resistive switching
Metal-insulator-semiconductor
Annealing effect
Nonvolatile memory
nonvolatile memory
behaviors
mechanism
breakdown
layer
power
ti
Chemistry
Materials Science
Metallurgy & Metallurgical Engineering
The Influence of n-AlGaN Inserted Layer on the Performance of Back-Illuminated AlGaN-Based p-i-n Ultraviolet Photodetectors
期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Chen, Y. R.
;
Zhang, Z. W.
;
Li, Z. M.
;
Jiang, H.
;
Miao, G. Q.
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提交时间:2019/09/17
AlGaN
inserted layers
p-i-n structures
ultraviolet photodetectors
suppression
diodes
Materials Science
Physics
The optimized growth of AlN templates for back-illuminated AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors by MOCVD
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2018, 卷号: 6, 期号: 18, 页码: 4936-4942
作者:
Chen, Y. R.
;
Zhang, Z. W.
;
Jiang, H.
;
Li, Z. M.
;
Miao, G. Q.
收藏
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提交时间:2019/09/17
threading dislocations
nucleation layer
gan
temperature
sapphire
Materials Science
Physics
High performance back-illuminated MIS structure AlGaN solar-blind ultraviolet photodiodes
期刊论文
Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 2018, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 9077-9082
作者:
Han, W. Y.
;
Zhang, Z. W.
;
Li, Z. M.
;
Chen, Y. R.
;
Song, H.
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提交时间:2019/09/17
p-i-n
photodetectors
template
films
Engineering
Materials Science
Physics
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