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科研机构
西安交通大学 [7]
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期刊论文 [4]
会议论文 [3]
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2018 [3]
2017 [3]
2016 [1]
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An Analytical Subthreshold Swing Model for fully-depleted MOSFETs with vertical Gaussian profile fabricated on modified silicon-on-insulator wafers
期刊论文
Microsystem Technologies, 2018
作者:
Huang, Huixiang
;
Wei, Sufen
;
Pan, Jinyan
;
Xu, Wenbin
;
Mei, Qiang
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/11/19
Analytical results
Experimental extraction
Gaussian profiles
Non-uniform doping
Radiation-hardened
Silicon on insulator wafers
Subthreshold swing
Technology computer aided design
Analytical subthreshold current modeling of nanoscale ultra-thin body ultra-thin box SOI MOSFETs with a vertical gaussian doping profile
会议论文
作者:
Wei, Sufen
;
Zhang, Guohe
;
Huang, Huixiang
;
Liu, Jing
;
Shao, Zhibiao
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/11/19
Threshold voltage model of total ionizing irradiated short-channel FD-SOI MOSFETs with Gaussian doping profile
期刊论文
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018, 卷号: 65, 页码: 2679-2690
作者:
Huang, Huixiang
;
Wei, Sufen
;
Pan, Jinyan
;
Xu, Wenbin
;
Chen, Chi-Cheng
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/11/26
Gaussians
Integrated circuit modeling
Interface traps
MOS-FET
Short-channel effect
Silicon on insulator (SOI)
Threshold voltage modeling
Total dose radiation
Modeling a Si homojunction SOI-Tunnel FET with configurable voltage difference on gates
会议论文
作者:
Wei, Sufen
;
Zhang, Guohe
;
Liu, Jing
;
Huang, Huixiang
;
Geng, Li
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/11/26
Band to band tunneling
Channel region
N type silicon
Potential barriers
Silicon on insulator (SOI)
Technology computer aided design
Tunnel FET (TFET)
Voltage difference
Enhanced Radiation Hardness in SOI MOSFET With Embedded Tunnel Diode Layer
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2017, 卷号: 64, 页码: 2369-2376
作者:
Huang, Huixiang
;
Wei, Sufen
;
Tang, Kai
;
Pan, Jinyan
;
Xu, Wenbin
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/11/26
partially depleted silicon on insulator (PD SOI)
Body contact
floating body effects (FBEs)
tunnel diode
A compact subthreshold swing model of ultra-Thin body ultra-Thin box SOI MOSFETs with Gaussian doping profile
会议论文
作者:
Wei, Sufen
;
Zhang, Guohe
;
Liu, Jing
;
Huang, Huixiang
;
Geng, Li
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/11/26
Charge centroid
Gaussian doping
Gaussian Doping Profiles
Non-uniform doping
Silicon on insulator (SOI)
Subthreshold swing
Technology computer aided design
Two Dimensional (2 D)
Analytic modeling of potential and threshold voltage for short-channel thin-body fully depleted silicon-on-insulator MOSFETs with a vertical Gaussian doping profile
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 55, 期号: [db:dc_citation_issue]
作者:
Wei, Sufen
;
Zhang, Guohe
;
Shao, Zhibiao
;
Huang, Huixiang
;
Geng, Li
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/02
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