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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：重庆大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Germanium-Tin P-channel tunneling field-effect transistors: Impacts of biaxial tensile strain and surface orientation 会议论文 Hsinchu, Taiwan, April 27, 2015 - April 29, 2015 作者:  Wang, Hongjuan[1];  Han, Genquan[1,2];  Liu, Yan[1];  Liu, Mingshan[2];  Zhang, Chunfu[2] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/29 Older adults’ usage of web pages: Investigating effects of information structure on performance 会议论文 Los Angeles, CA, United states, August 2, 2015 - August 7, 2015 作者:  Huang, Jincheng[1];  Zhou, Jia[1];  Wang, Huilin[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/29 Does alpha-1 blocker provide additional therapeutic benefits in multifactor acute heart failure patients? -a multi-center randomized and parallel-control trial between urapidil and nitroglycerin in Chinese elderly patients with DM and hypertension 会议论文 Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2014 作者:  Wei, Yang[1];  Zhou, Yujie[2];  Fu, Yan[3];  Jianqin[4];  Shutan[5] 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/11/30 双辊式薄带坯连铸高速钢带产业化研究 会议论文 北京, 2008年11月01日 作者:  张彩东 [1];  孙善长 [1];  丁培道 [1];  王雨 [1];  杨春楣 [1] 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/11/30 Theoretical calculation of performance enhancement in lattice-matched SiGeSn/GeSn p-channel tunneling field-effect transistor with type-II staggered tunneling junction 会议论文 Sapporo, JAPAN, SEP 27-30, 2015 作者:  Wang, Hongjuan[1];  Han, Genquan[1,2];  Wang, Yibo[1];  Peng, Yue[1];  Liu, Yan[2] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/30 Undoped Ge0.92Sn0.08 Quantum Well PMOSFETs on (001), (011) and (111) Substrates with In Situ Si2H6 Passivation: High Hole Mobility and Dependence of Performance on Orientation 会议论文 Honolulu, HI, JUN 09-12, 2014 作者:  Liu, Mingshan[1,2];  Han, Genquan[1,2];  Liu, Yan[2];  Zhang, Chunfu[1];  Wang, Hongjuan[2] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/30 Undoped Ge0.92Sn0.08 quantum well PMOSFETs on (001), (011) and (111) substrates with in situ Si2H6 passivation: High hole mobility and dependence of performance on orientation 会议论文 Honolulu, HI, United states, June 9, 2014 - June 12, 2014 作者:  Liu, Mingshan[1,2];  Han, Genquan[1,2];  Liu, Yan[2];  Zhang, Chunfu[1];  Wang, Hongjuan[2] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/30