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	Theoretical calculation of performance enhancement in lattice-matched SiGeSn/GeSn p-channel tunneling field-effect transistor with type-II staggered tunneling junction
	Wang, Hongjuan[1]; Han, Genquan[1,2]; Wang, Yibo[1]; Peng, Yue[1]; Liu, Yan[2]; Zhang, Chunfu[1]; Zhang, Jincheng[1]; Hu, Shengdong[3]; Hao, Yue[1]
会议日期	SEP 27-30, 2015
会议地点	Sapporo, JAPAN
URL标识	查看原文
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3194971
专题	重庆大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang, Hongjuan[1],Han, Genquan[1,2],Wang, Yibo[1],et al. Theoretical calculation of performance enhancement in lattice-matched SiGeSn/GeSn p-channel tunneling field-effect transistor with type-II staggered tunneling junction[C]. 见:. Sapporo, JAPAN. SEP 27-30, 2015.

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