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科研机构
上海微系统与信息技术... [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2003 [1]
2001 [3]
1999 [1]
学科主题
Physics, A... [5]
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学科主题:Physics, Applied
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High frequency capacitance-voltage characterization of Al2O3/ZrO2/Al2O3 in fully depleted silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor capacitors
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 83, 期号: 25, 页码: 5238-5240
Zhang, NL
;
Song, ZT
;
Shen, QW
;
Wu, YJ
;
Liu, QB
;
Lin, CL
;
Duo, XZ
;
Zheng, LR
;
Ding, YF
;
Zhu, ZQ
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/24
ZRO2/SIO2/SI LAYERED STRUCTURE
THERMAL-STABILITY
MOS CAPACITORS
FILM
ZRO2
DIELECTRICS
HFO2
Defect and strain in hydrogen and helium coimplanted single-crystal silicon
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 5-11
Duo, XZ
;
Liu, WL
;
Xing, S
;
Zhang, M
;
Fu, XR
;
Lin, CL
;
Hu, PG
;
Wang, SX
;
Wang, LM
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
INDUCED EXFOLIATION
MECHANISM
CAVITIES
AU
Comparison between the different implantation orders in H+ and He+ coimplantation
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 477-482
Duo, XZ
;
Liu, WL
;
Zhang, MA
;
Wang, LW
;
Lin, CL
;
Okuyama, M
;
Noda, M
;
Cheung, WY
;
Chu, PK
;
Hu, PG
;
Wang, SX
;
Wang, LM
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/03/24
POSITRON-ANNIHILATION
INDUCED DEFECTS
SILICON
EXFOLIATION
MECHANISM
CAVITIES
AU
Evolution of hydrogen and helium co-implanted single-crystal silicon during annealing
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 90, 期号: 8, 页码: 3780-3786
Duo, XH
;
Liu, WL
;
Zhang, M
;
Wang, LW
;
Lin, CL
;
Okuyama, M
;
Noda, M
;
Cheung, WY
;
Wong, SP
;
Chu, PK
;
Hu, PG
;
Wang, SX
;
Wang, LM
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
INDUCED EXFOLIATION
INDUCED DEFECTS
COIMPLANTATION
MECHANISM
CAVITIES
AU
Comparison of Cu gettering to H+ and He+ implantation-induced cavities in separation-by-implantation-of-oxygen wafers
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1999, 卷号: 85, 期号: 1, 页码: 94-98
Zhang, MA
;
Lin, CL
;
Duo, XZ
;
Lin, ZX
;
Zhou, ZY
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提交时间:2012/03/25
ION-IMPLANTATION
SILICON-OXIDES
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