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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth and electrical characterization of type II InAs/GaSb superlattices for midwave infrared detection 期刊论文 infrared physics & technology, 2014, 卷号: 65, 页码: 129-133 Zhang, LX; Sun, WG; Xu, YQ; Zhang, L; Zhang, L; Si, JJ 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2015/03/25 Origin of insulating behavior of the p-type LaAlO3/SrTiO3 interface: Polarization-induced asymmetric distribution of oxygen vacancies 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: art. no. 125412 Zhang LX (Zhang Lixin); Zhou XF (Zhou Xiang-Feng); Wang HT (Wang Hui-Tian); Xu JJ (Xu Jing-Jun); Li JB (Li Jingbo); Wang EG (Wang E. G.); Wei SH (Wei Su-Huai) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/10/11 INITIO MOLECULAR-DYNAMICS  ELECTRON GASES  HETEROSTRUCTURES  TRANSITION   Comparative study on the broadening of exciton luminescence linewidth due to phonon in zinc-blende and wurtzite GaN epilayers 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 23, 页码: 4389-4391 Xu SJ; Zheng LX; Cheung SH; Xie MH; Tong SY; Yang H 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  CUBIC GAN  BINDING-ENERGY  PHOTOLUMINESCENCE  PRESSURE  ELECTRON  GAAS  ALN   Strain and photoluminescence characterization of cubic (In,Ga)N films grown on GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 8, 页码: 3711-3714 Sun XL; Wang YT; Yang H; Zheng LX; Xu DP; Li JB; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 PHASE-SEPARATION  GAN   Cubic-phase GaN light-emitting diodes 期刊论文 applied physics letters, 1999, 卷号: 74, 期号: 17, 页码: 2498-2500 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SEMICONDUCTORS  NITRIDE  GROWTH   Stability investigation of cubic GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on GaAs (001) 期刊论文 applied physics letters, 1999, 卷号: 74, 期号: 19, 页码: 2827-2829 Sun XL; Yang H; Zheng LX; Xu DP; Li JB; Wang YT; Li GH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 RAMAN-SPECTROSCOPY  PHASE  PHONONS   Investigation on quality of cubic GaN/GaAs(100) by double-crystal X-ray diffraction 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 1999, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 517-522 Xu DP; Wang YT; Yang H; Zheng LX; Li JB; Duan LH; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 cubic GaN  hexagonal  X-ray diffraction  MOCVD  SUBSTRATE NITRIDATION  OPTICAL-PROPERTIES  GAN  GAAS  GROWTH  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Annealing behavior of hexagonal phase content in cubic GaN thin films grown on GaAs (001) by MOCVD 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 1999, 卷号: 42, 期号: 7, 页码: 763-768 Sun XL; Yang H; Wang YT; Li GH; Zheng LX; Li JB; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 cubic phase  GaN hexagonal phase  boundary layer  EPITAXY  PHONONS  RAMAN-SPECTROSCOPY   Photovoltaic effect of cubic GaN/GaAs(100) 期刊论文 applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 24, 页码: 3823-3825 作者:  Jiang DS;  Zhao DG;  Yang H;  Yang H;  Li JB 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 GAN