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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Experimental investigation of slow light phenomenon in photonic crystal waveguide line defect laser 会议论文 international workshop on metamaterials, nanjing, peoples r china, nov 09-12, 2008 Xing MX; Ren G; Chen W; Zhou WJ; Wang HL; Chen LH; Zheng WH 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/03/09 MODE   Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 会议论文 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 quantum dots  high index  molecular beam epitaxy  photoluminescence  SURFACE SEGREGATION  ORIENTED GAAS  INGAAS  ISLANDS  WELLS  DISKS   Fabrication of InGaAs quantum dots with an underlying InGaAlAs layer on GaAs(100) and high index substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 607-612 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InGaAs/InGaAlAs  adjusting layer  molecular beam epitaxy  high index  GAAS   Two-dimensional ordering of self-assembled InxGa1-xAs quantum dots grown on GaAs(311)B surfaces 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 481-488 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 two-dimensional (2D) ordering  quantum dot array  InxGa1-xAs  self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs(311)B  high-index  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ORGANIZED GROWTH  INAS ISLANDS  GAAS  GAAS(100)  ALIGNMENT  MATRIX  ARRAYS  DISKS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY   Indium composition dependence of the size uniformity of InGaAs quantum dots on (311)B GaAs grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of materials science & technology, 1999, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 523-526 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 INAS ISLANDS  MONOLAYER COVERAGE  SELF-ORGANIZATION  ROOM-TEMPERATURE  SURFACES   Structural and optical characteristics of self-organized InAs quantum dots grown on GaAs (3 1 1)A substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 1-2, 页码: 70-76 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs quantum dots  self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs (3 1 1)A  photoluminesence  TEMPERATURE-DEPENDENCE  THERMAL-ACTIVATION  LOCALIZED EXCITONS  ORIENTED GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Two-dimensional ordering of self-assembled InxGal-xAs quantum dots grown on GaAs(311)B surfaces 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 4, 页码: 279-286 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 two-dimensional (2D) ordering  quantum dot array  InxGa1-xAs  self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs(311)B  high index  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ORGANIZED GROWTH  INAS ISLANDS  GAAS  GAAS(100)  ALIGNMENT  MATRIX  DISKS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY   Liquid encapsulated-melt zone processing of GaAs 期刊论文 chinese physics letters, 1996, 卷号: 13, 期号: 12, 页码: 950-952 Zhou BJ; Chen WH; Jensen E; Amini A; Abbaschian R 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/17