×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2012 [1]
2011 [3]
2010 [3]
2004 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [9]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Wetting layer evolution and its temperature dependence during self-assembly of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 页码: 600
Zhang HY (Zhang, Hongyi)
;
Chen YH (Chen, Yonghai)
;
Zhou GY (Zhou, Guanyu)
;
Tang CG (Tang, Chenguang)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2013/03/26
Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者:
Xu B
;
Zhou GY
;
Ye XL
;
Zhang HY
收藏
  |  
浏览/下载:53/5
  |  
提交时间:2011/07/05
SELF-ORGANIZED ISLANDS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACES
EMISSION
DENSITY
SIZE
Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501
作者:
Zhou GY
;
Zhang HY
;
Xu B
;
Ye XL
收藏
  |  
浏览/下载:67/4
  |  
提交时间:2011/07/05
INAS ISLANDS
MU-M
ESCAPE
GAAS
GAAS(100)
SUBSTRATE
The transition from two-stage to three-stage evolution of wetting layer of InAs/GaAs quantum dots caused by postgrowth annealing
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: article no.71914
作者:
Jin P
;
Ye XL
;
Zhou XL
收藏
  |  
浏览/下载:49/4
  |  
提交时间:2011/07/05
SPECTROSCOPY
The two- to three-dimensional growth transition of InAs/GaAs epitaxy layer studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083513
Zhou GY (Zhou G. Y.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Tang CG (Tang C. G.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2010/12/05
QUANTUM-DOT SYSTEM
ISLAND FORMATION
IN-SITU
EVOLUTION
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
Temperature dependent photoluminescence of an In(Ga)As/GaAs quantum dot system with different areal density
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 29, 页码: art. no. 295401
Zhou XL (Zhou X. L.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Liu JQ (Liu J. Q.)
;
Jia CH (Jia C. H.)
;
Zhou GY (Zhou G. Y.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
  |  
浏览/下载:336/26
  |  
提交时间:2010/08/17
CARRIER RELAXATION
STATES
SUPERLATTICES
CONFINEMENT
LASER
Different growth mechanisms of bimodal In As/GaAs QDs
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 308-311
作者:
Ye XL
;
Zhou XL
收藏
  |  
浏览/下载:41/3
  |  
提交时间:2011/07/05
INAS QUANTUM DOTS
GAAS(001)
RELAXATION
TRANSITION
GAAS
Study on the perfection of in situ P-injection synthesis LEC-InP single crystals
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 17-20
作者:
Zhou XL
收藏
  |  
浏览/下载:441/157
  |  
提交时间:2010/03/09
etch-pit density
Analysis of atomic force microscopic results of InAs islands formed by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 3-4, 页码: 376-380
作者:
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2010/08/12
nanometer island
InAs
molecular beam epitaxy
atomic force microscopy
quantum dot
GAAS
LASERS
GROWTH
ASSEMBLED QUANTUM DOTS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace