QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 503-506 Yu, LK; Xu, B; Wang, ZG; Jin, P; Zhao, C; Lei, W; Sun, J; Hu, LJ 收藏  |  浏览/下载：24/1  |  提交时间：2010/03/08 growth interruption  in segregation  photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum dots   Kinetic Monte Carlo simulation of semiconductor quantum dot growth 会议论文 china international conference on nanoscience and technology (chinanano 2005), beijing, peoples r china, jun 09-11, 2005 Zhao C; Chen YH; Sun J; Lei W; Cui CX; Yu LK; Li K; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：270/88  |  提交时间：2010/03/29 Monte Carlo simulation   Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 31-35 Zhao C (Zhao C.); Chen YH (Chen Y. H.); Zhao M (Zhao Man); Zhang CL (Zhang C. L.); Xu B (Xu B.); Yu LK (Yu L. K.); Sun J (Sun J.); Lei W (Lei W.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 Monte Carlo simulation  molecular beam epitaxy  kinetic effects  quantum dot  LAYER   Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth 会议论文 11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：134/15  |  提交时间：2010/03/29 Monte Carlo simulation   Room-temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots 期刊论文 electrochemical and solid state letters, 2006, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: g167-g170 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2010/04/11 SEMICONDUCTOR-DEVICES  TRANSPORT  STATES  BISTABILITY  VOLTAGE  LASERS  DIODE   Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/04/11 growth interruption  in segregation  surface oxide  molecular beam epitaxy  quantum dots  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  LAYER  SHAPE  SIZE   Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文 journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706 作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/04/11 GAAS  SPECTROSCOPY  PARAMETERS  TRANSPORT  LASERS  ENERGY  STATES  HOLE   Kinetic Monte Carlo simulation of spatially ordered growth of quantum dots on patterned substrate 期刊论文 solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 630-633 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/04/11 quantum dot  molecular beam epitaxy  kinetic effects  Monte Carlo simulation  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PERIODIC STRAIN  NUCLEATION   Interband and intraband photocurrent of self-assembled InAs/InAlAs/InP nanostructures 期刊论文 nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2785-2789 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/04/11 DOT INFRARED PHOTODETECTORS  INAS/GAAS QUANTUM DOTS  ROOM-TEMPERATURE  SPECTROSCOPY  PHOTOCONDUCTIVITY  HETEROSTRUCTURES  TRANSITIONS  LASERS  WELLS  INP   Quantum-dot growth simulation on periodic stress of substrate 期刊论文 journal of chemical physics, 2005, 卷号: 123, 期号: 9, 页码: art.no.094708 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：149/46  |  提交时间：2010/03/17 KINETIC MONTE-CARLO