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科研机构
半导体研究所 [9]
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会议论文 [1]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Hybrid single-mode laser based on graphene Bragg gratings on silicon
期刊论文
Optics Letters, 2017, 卷号: 42, 期号: 11, 页码: 2134-2137
作者:
ZHENGLIANG REN
;
QIANG KAN
;
GUANGZHAO RAN
;
CHAOYUAN JIN
;
LIJUN YUAN
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2018/05/31
A Hybrid Single-Mode Laser Based on Slotted Silicon Waveguides
期刊论文
photonics technology letters, ieee, 2016, 卷号: 28, 期号: 9, 页码: 967-970
Mengke Li
;
Lianxue Zhang
;
Hongyan Yu
;
Lijun Yuan
;
Qiang Kan
;
Weixi Chen
;
Ying Ding
;
Shiyan Li
;
Junping Mi
;
Guangzhao Ran
;
Jiaoqing Pan
收藏
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浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2017/03/10
High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a homemade MOCVD system
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 33002
Yin, Haibo
;
Wang, Xiaoliang
;
Ran, Junxue
;
Hu, Guoxin
;
Zhang, Lu
;
Xiao, Hongling
;
Li, Jing
;
Li, Jinmin
收藏
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浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2012/06/14
Epitaxial growth
Gallium nitride
A Selective-Area Metal Bonding InGaAsP-Si Laser
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2010, 卷号: 22, 期号: 15, 页码: 1141-1143
Hong T (Hong Tao)
;
Ran GZ (Ran Guang-Zhao)
;
Chen T (Chen Ting)
;
Pan JQ (Pan Jiao-Qing)
;
Chen WX (Chen Wei-Xi)
;
Wang Y (Wang Yang)
;
Cheng YB (Cheng Yuan-Bing)
;
Liang S (Liang Song)
;
Zhao LJ (Zhao Ling-Juan)
;
Yin LQ (Yin Lu-Qiao)
;
Zhang JH (Zhang Jian-Hua)
;
Wang W (Wang Wei)
;
Qin GG (Qin Guo-Gang)
收藏
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浏览/下载:255/27
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提交时间:2010/10/11
InGaAsP-Si laser
selective-area metal bonding (SAMB)
Si photonics
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
收藏
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浏览/下载:129/30
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
作者:
Hou QF
;
Zhang ML
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/03/09
ALGAN/GAN HEMTS
Simulation of In0.65Ga0.35N single-junction solar cell
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 23, 页码: 7335-7338
Zhang, X
;
Wang, X
;
Xiao, H
;
Yang, C
;
Ran, J
;
Wang, C
;
Hou, Q
;
Li, J
收藏
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浏览/下载:139/1
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提交时间:2010/03/08
BAND-GAP
INN
Photovoltaic effects in InGaN structures with p-n junctions
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2007, 卷号: 204, 期号: 12, 页码: 4288-4291
Yang, CB
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Wang, XH
;
Zhang, XB
;
Li, MP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:55/3
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提交时间:2010/03/08
FUNDAMENTAL-BAND GAP
IN1-XGAXN ALLOYS
INN
Transport phenomena in radial flow MOCVD reactor with three concentric vertical inlets
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 498-508
Zuo R (Zuo Ran)
;
Zhang H (Zhang Hong)
;
Liu XL (Liu Xiang-lin)
收藏
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/04/11
flow recirculation
numerical modeling
reactor
transport process
MOCVD
thin film growth
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
MOVPE REACTOR
GROWTH
DESIGN
GAN
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