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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [7]
会议论文 [2]
发表日期
2014 [2]
2011 [1]
2009 [1]
2008 [3]
2007 [2]
学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Spin transport study in a Rashba spin-orbit coupling system
期刊论文
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 4030
Mei, FH
;
Zhang, S
;
Tang, N
;
Duan, JX
;
Xu, FJ
;
Chen, YH
;
Ge, WK
;
Shen, B
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2015/03/19
Identification of Helicity-Dependent Photocurrents from Topological Surface States in Bi2Se3 Gated by Ionic Liquid
期刊论文
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 4889
Duan, JX
;
Tang, N
;
He, X
;
Shen, B
;
Yan, Y
;
Zhang, S
;
Qin, XD
;
Wang, XQ
;
Yang, XL
;
Xu, FJ
;
Chen, YH
;
Ge, WK
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2015/04/02
Observation of the photoinduced anomalous Hall effect in GaN-based heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: article no.122104
作者:
Yu JL
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浏览/下载:44/2
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提交时间:2011/07/05
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
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浏览/下载:129/30
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/03/09
PERFORMANCE
HETEROSTRUCTURES
OPTIMIZATION
MOBILITY
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
作者:
Hou QF
;
Zhang ML
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/03/09
ALGAN/GAN HEMTS
Effect of CO on characteristics of AlGaN/GaN Schottky diode
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3025-3027
Feng, C
;
Wang, XL
;
Yang, CB
;
Xiao, HL
;
Zhang, ML
;
Jiang, LJ
;
Tang, J
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:77/1
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提交时间:2010/03/08
HEMTS
AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMT structure with high mobility GaN thin layer as channel grown by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 835-839
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Ma ZY (Ma Zhiyong)
;
Ran JX (Ran Junxue)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Mao HL (Mao Hongling)
;
Tang H (Tang Han)
;
Li HP (Li Hanping)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Jinmin LM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/29
2DEG
Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN HEMT structures with a compositionally step-graded AlGaN barrier layer
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1705-1708
Ma ZY (Ma Zhi-Yong)
;
Wang XL (Wang Xiao-Liang)
;
Hu GX (Hu Guo-Xin)
;
Ran JX (Ran Jun-Xue)
;
Xiao HL (Xiao Hong-Ling)
;
Luo WJ (Luo Wei-Jun)
;
Tang J (Tang Jian)
;
Li JP (Li Jian-Ping)
;
Li JM (Li Jin-Min)
收藏
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2010/03/29
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
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