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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2005 [1]
2003 [2]
2002 [3]
1997 [1]
学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
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Phase-separation suppression in GaN-rich side of GaNP alloys grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2005, 卷号: 80, 期号: 1, 页码: 141-144
Chen DJ
;
Shen B
;
Bi ZX
;
Zhang KX
;
Gu SL
;
Zhang R
;
Shi, Y
;
Zheng YD
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
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浏览/下载:118/41
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提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GaN1-xPx ternary alloys with high P composition grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 255, 期号: 1-2, 页码: 52-56
Chen DJ
;
Shen B
;
Bi ZX
;
Zhang KX
;
Gu SL
;
Zhang R
;
Shi Y
;
Zheng YD
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:470/1
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提交时间:2010/08/12
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN-RICH SIDE
RADICAL CELL
III-V
X-ray diffraction analysis of MOCVD grown GaN buffer layers on GaAs(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 1-2, 页码: 23-27
Shen XM
;
Wang YT
;
Zheng XH
;
Zhang BS
;
Chen J
;
Feng G
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:111/0
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提交时间:2010/08/12
buffer layers
x-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
VAPOR-PHASE EPITAXY
NUCLEATION LAYERS
CUBIC GAN
(001)GAAS SUBSTRATE
STRAIN RELAXATION
TEMPERATURE
DEPOSITION
QUALITY
DIODES
Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2010/08/12
GaN
epitaxial lateral overgrowth
crystallographic tilt
double crystal X-ray diffraction
FILMS
DEFECTS
GAAS
Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:84/5
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提交时间:2010/08/12
wafer bonding
cubic
GaN/GaAs(001)
Si-substrate
LIGHT-EMITTING-DIODES
P-TYPE GAN
RESISTANCE
CONTACT
LASER
Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
etching
metalorganic vapor-phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
DISLOCATIONS
DENSITY
GROWTH
LAYERS
Magnetospectroscopy of bound phonons in high purity GaAs
期刊论文
physical review letters, 1997, 卷号: 79, 期号: 6, 页码: 1078-1081
Chen ZH
;
Liu PL
;
Lu W
;
Chen ZH
;
Shi XH
;
Shi GL
;
Shen SC
;
Yang B
;
Wang ZG
;
Lin LY
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/17
CYCLOTRON-RESONANCE
ELECTRON-PHONON
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