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半导体研究所 [10]
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期刊论文 [9]
会议论文 [1]
发表日期
2014 [2]
2011 [2]
2009 [1]
2003 [3]
2002 [1]
1998 [1]
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学科主题
半导体材料 [10]
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学科主题:半导体材料
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Electrical spin injection into InGaAs/GaAs quantum wells: A comparison between MgO tunnel barriers grown by sputtering and molecular beam epitaxy methods
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 1, 页码: 012404
Barate, P
;
Liang, S
;
Zhang, TT
;
Frougier, J
;
Vidal, M
;
Renucci, P
;
Devaux, X
;
Xu, B
;
Jaffres, H
;
George, JM
;
Marie, X
;
Hehn, M
;
Mangin, S
;
Zheng, Y
;
Amand, T
;
Tao, B
;
Han, XF
;
Wang, Z
;
Lu, Y
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2015/03/25
Large and robust electrical spin injection into GaAs at zero magnetic field using an ultrathin CoFeB/MgO injector
期刊论文
physical review b, 2014, 卷号: 90, 期号: 8, 页码: 085310
Liang, SH
;
Zhang, TT
;
Barate, P
;
Frougier, J
;
Vidal, M
;
Renucci, P
;
Xu, B
;
Jaffres, H
;
George, JM
;
Devaux, X
;
Hehn, M
;
Marie, X
;
Mangin, S
;
Yang, HX
;
Hallal, A
;
Chshiev, M
;
Amand, T
;
Liu, HF
;
Liu, DP
;
Han, XF
;
Wang, ZG
;
Lu, Y
收藏
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浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2015/03/25
VLS growth of SiOx nanowires with a stepwise nonuniformity in diameter
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.84328
Huang SL
;
Wu Y
;
Zhu XF
;
Li LX
;
Wang ZG
;
Wang LZ
;
Lu GQ
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  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2011/07/05
SILICON NANOWIRES
SURFACE MIGRATION
NANOSTRUCTURES
CATALYST
Nanostructural instability of single-walled carbon nanotubes during electron beam induced shrinkage
期刊论文
carbon, 2011, 卷号: 49, 期号: 9, 页码: 3120-3124
Zhu XF
;
Li LX
;
Huang SL
;
Wang ZG
;
Lu GQ
;
Sun CH
;
Wang LZ
收藏
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浏览/下载:25/3
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提交时间:2011/07/05
IRRADIATION
NANOCAVITY
Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of AlxGa1-xN Epitaxial Thin Films
会议论文
international materials research conference, chongqing, peoples r china, jun 09-12, 2008
作者:
Sun BJ
;
Zhao DG
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/03/09
AlxGa1-xN
Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423
Hu GQ
;
Kong X
;
Wan L
;
Wang YQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
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浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2010/08/12
amorphous layer
dislocation
transmission electron microscopy
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
HETEROEPITAXIAL GROWTH
ELECTRON-DIFFRACTION
DEFECT STRUCTURE
HETEROSTRUCTURE
DISLOCATIONS
MICROSCOPY
(111)SI
LAYER
Formation mechanism of amorphous layer at the interface of Si(111) substrate and AlN buffer layer for GaN
期刊论文
journal of materials science letters, 2003, 卷号: 22, 期号: 22, 页码: 1581-1583
Hu GQ
;
Kong X
;
Wang YQ
;
Wan L
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
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  |  
浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
HETEROEPITAXIAL GROWTH
HETEROSTRUCTURES
The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91-98
Lu YA
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Yuan HR
;
Hu GQ
;
Wang XH
;
Wang ZG
;
Duan XF
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/08/12
Si(111) substrate
heteroepitaxy
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
LIGHT-EMITTING-DIODES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION LAYERS
BUFFER LAYER
SILICON
SAPPHIRE
NITRIDE
EPITAXY
STRESS
STRAIN
The structure and current-voltage characteristics of multi-sheet InGaN quantum dots grown by a new multi-step method
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 19-24
Chen Z
;
Lu DC
;
Han P
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Li YF
;
Yuan HR
;
Lu Y
;
Bing LD
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Wang XF
;
Yan L
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浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2010/08/12
nanostructures
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
SELF-ORGANIZED GROWTH
EPITAXIAL-GROWTH
GAAS
GAN
PHOTOLUMINESCENCE
SURFACTANT
ALGAAS
WIRE
Effects of growth interruption on self-assembled InAs/GaAs islands
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 97-101
作者:
Han PD
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
InAs/GaAs
islands
MBE
PL
growth interruption
ORGANIZATION
TRANSITION
GAAS
QUANTUM
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