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半导体研究所 [37]
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期刊论文 [30]
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发表日期
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2006 [3]
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学科主题
半导体材料 [37]
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学科主题:半导体材料
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Improvement of efficiency of GaN-based polarization-doped light-emitting diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 24, 页码: 241111
Zhang, L
;
Wei, XC
;
Liu, NX
;
Lu, HX
;
Zeng, JP
;
Wang, JX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2012/02/06
ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
TRANSPORT-PROPERTIES
Magnetoresistance in a nominally undoped InGaN thin film
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 63-66
作者:
Ding K
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浏览/下载:122/34
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提交时间:2010/04/28
NEGATIVE MAGNETORESISTANCE
DIODES
Catalytic Activation of Mg-Doped GaN by Hydrogen Desorption Using Different Metal Thin Layers
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2010, 卷号: 49, 期号: 10, 页码: art. no. 100201
Wei TB (Wei Tongbo)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Liu NX (Liu Naixin)
;
Lu HX (Lu Hongxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Wang GH (Wang Guohong)
;
Li JM (Li Jinmin)
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/14
LOW-TEMPERATURE ACTIVATION
FILMS
Strong room-temperature ferromagnetism in Cu-implanted nonpolar GaN films
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: art. no. 113921
Sun LL
;
Yan FW
;
Zhang HX
;
Wang JX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
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浏览/下载:99/0
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提交时间:2010/04/03
annealing
Influence of implantation energy on the characteristics of Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films
期刊论文
materials letters, 2009, 卷号: 63, 期号: 3-4, 页码: 451-453
Sun LL
;
Yan FW
;
Wang JX
;
Zhang HX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
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浏览/下载:255/68
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提交时间:2010/03/08
Diluted magnetic semiconductors (DMSs)
Implantation energy
Nonpolar a-plane GaN:Mn films
Room temperature
The structure, morphology and Raman scattering study on Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films
期刊论文
materials science and engineering b-advanced functional solid-state materials, 2009, 卷号: 162, 期号: 3, 页码: 209-212
Sun LL
;
Yan FW
;
Zhang HX
;
Wang JX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:92/1
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提交时间:2010/03/08
Ion implantation
Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)
Diluted magnetic semiconductor (DMS)
Nonpolar a-plane GaN
The field emission properties of nonpolar a-plane n-type GaN films grown on nano-patterned sapphire substrates
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 7, 页码: 1501-1503
Sun LL
;
Yan FW
;
Wang JX
;
Zhang HX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
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浏览/下载:55/1
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提交时间:2010/03/08
ELECTRON-AFFINITY
The impact of implantation dose on the characteristics of diluted-magnetic nonpolar GaN:Cu films
期刊论文
materials letters, 2009, 卷号: 63, 期号: 29, 页码: 2574-2576
Sun, LL (Sun, Lili)
;
Yan, FW (Yan, Fawang)
;
Zhang, HX (Zhang, Huixiao)
;
Wang, JX (Wang, Junxi)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Wang, GH (Wang, Guohong)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
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浏览/下载:170/32
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提交时间:2010/03/08
Diluted magnetic semiconductors (DMSs)
Enhancement of Exciton-Phonon Interaction in InGaN Quantum Wells Induced by Electron-Beam Irradiation
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: art. no. 021001
作者:
Wei XC
;
Duan RF
;
Ding K
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浏览/下载:78/19
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提交时间:2010/03/08
LOCALIZATION
SEMICONDUCTORS
EMISSION
BOXES
BAND
Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Guo, LC
;
Li, JP
;
Liu, HX
;
Chen, YL
;
Yang, FH
;
Li, JM
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN
high electron mobility transistor (HEMT)
Si (111)
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