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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Spin transport study in a Rashba spin-orbit coupling system 期刊论文 scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 4030 Mei, FH; Zhang, S; Tang, N; Duan, JX; Xu, FJ; Chen, YH; Ge, WK; Shen, B 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/03/19 Identification of Helicity-Dependent Photocurrents from Topological Surface States in Bi2Se3 Gated by Ionic Liquid 期刊论文 scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 4889 Duan, JX; Tang, N; He, X; Shen, B; Yan, Y; Zhang, S; Qin, XD; Wang, XQ; Yang, XL; Xu, FJ; Chen, YH; Ge, WK 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2015/04/02 Evidence of Type-II Band Alignment in III-nitride Semiconductors: Experimental and theoretical investigation for In0.17Al0.83N/GaN heterostructures 期刊论文 scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 6521 Wang, JM; Xu, FJ; Zhang, X; An, W; Li, XZ; Song, J; Ge, WK; Tian, GS; Lu, J; Wang, XQ; Tang, N; Yang, ZJ; Li, W; Wang, WY; Jin, P; Chen, YH; Shen, B 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/03/20 Strong circular photogalvanic effect in ZnO epitaxial films 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 4, 页码: art. no. 041907 Zhang Q (Zhang Q.); Wang XQ (Wang X. Q.); Yin CM (Yin C. M.); Xu FJ (Xu F. J.); Tang N (Tang N.); Shen B (Shen B.); Chen YH (Chen Y. H.); Chang K (Chang K.); Ge WK (Ge W. K.); Ishitani Y (Ishitani Y.); Yoshikawa A (Yoshikawa A.) 收藏  |  浏览/下载：276/88  |  提交时间：2010/09/07 II-VI semiconductors  photoconductivity  photovoltaic effects  semiconductor epitaxial layers  spin-orbit interactions  valence bands  wide band gap semiconductors  zinc compounds   The effects of rapid thermal annealing on the optical properties of Zn1-xMnxSe epilayer grown by MOCVD on GaAs substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 3-4, 页码: 538-543 作者:  Zhang JY;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  metalorganic chemical vapor deposition  epilayer  semiconducting II-VI materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAP   Effect of ion-induced damage on GaNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 140-144 Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Wang XY; Wu RH; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：99/7  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  quantum wells  BAND-GAP ENERGY  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  GANXAS1-X  FILMS   Threshold reduction in strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers by liquid phase epitaxy regrowth 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 1, 页码: 25-30 Lu LW; Zhang YH; Yang GW; Wang J; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs/GaAs quantum wells  DLTS measurements  nonradiative centers  THICKNESS