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科研机构
半导体研究所 [21]
内容类型
期刊论文 [21]
发表日期
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2007 [1]
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2005 [1]
2003 [1]
2000 [3]
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学科主题
半导体材料 [21]
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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Origin of attendant phenomena of bipolar resistive switching and negative differential resistance in SrTiO3:Nb/ZnO heterojunctions
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 043501
Jia, CH
;
Sun, XW
;
Li, GQ
;
Chen, YH
;
Zhang, WF
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/03/20
The magnetic field effect on optical properties of Sm-doped GaN thin films
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2014, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2974-2978
Sun, P
;
Li, YC
;
Meng, XQ
;
Yu, S
;
Liu, YH
;
Liu, FQ
;
Wang, ZG
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2015/04/02
The magnetic field effect on optical properties of Sm-doped GaN thin films
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2014, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2974-2978
Sun, P
;
Li, YC
;
Meng, XQ
;
Yu, S
;
Liu, YH
;
Liu, FQ
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2015/04/02
Scanning electron microscopy observation of in-device InAs/AlAs quantum dots by selective etching of capping layers
期刊论文
modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 14, 页码: 859-866
Sun, J
;
Zhou, DY
;
Li, RY
;
Zhao, C
;
Ye, XL
;
Xu, B
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:64/5
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提交时间:2010/03/08
III-V semiconductors
quantum dots
scanning electron microscopy
selective etching
Evolution of wetting layer of InAs/GaAs quantum dots studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 7, 页码: art.no.071903
作者:
Jin P
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浏览/下载:547/12
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提交时间:2010/04/11
GROWTH
INAS
GAAS
SURFACES
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 31-35
Zhao C (Zhao C.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Zhao M (Zhao Man)
;
Zhang CL (Zhang C. L.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Yu LK (Yu L. K.)
;
Sun J (Sun J.)
;
Lei W (Lei W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
Monte Carlo simulation
molecular beam epitaxy
kinetic effects
quantum dot
LAYER
Room-temperature continuous-wave operation of InAs quantum-wire laser on InP(001) substrate
期刊论文
electronics letters, 2006, 卷号: 42, 期号: 13, 页码: 757-758
Yang XR (Yang X. R.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Liang P (Liang P.)
;
Hu Y (Hu Y.)
;
Sun H (Sun H.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Liu FL (Liu F. L.)
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/04/11
DOTS
Room-temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots
期刊论文
electrochemical and solid state letters, 2006, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: g167-g170
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:77/0
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提交时间:2010/04/11
SEMICONDUCTOR-DEVICES
TRANSPORT
STATES
BISTABILITY
VOLTAGE
LASERS
DIODE
Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
growth interruption
in segregation
surface oxide
molecular beam epitaxy
quantum dots
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
LAYER
SHAPE
SIZE
Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer
期刊论文
journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706
作者:
Ye XL
;
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:90/0
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提交时间:2010/04/11
GAAS
SPECTROSCOPY
PARAMETERS
TRANSPORT
LASERS
ENERGY
STATES
HOLE
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