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Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 410-414
作者:  朱建军
收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2010/11/23
缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响 期刊论文
中国科学. E辑, 技术科学, 2004, 卷号: 34, 期号: 0, 页码: 1
作者:  王玉田;  张书明;  朱建军
收藏  |  浏览/下载:117/0  |  提交时间:2010/11/23
立方相GaN的持续光电导 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 34-38
作者:  赵德刚
收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2010/11/23
用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 1093-1097
沈晓明; 付羿; 冯淦; 张宝顺; 冯志宏; 杨辉
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2010/11/23
GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 881-885
作者:  赵德刚
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2010/11/23


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