缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响

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	缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响
	王玉田; 张书明; 朱建军
刊名	中国科学. E辑，技术科学
	2004
卷号	34 期号:0 页码:1
中文摘要	利用自制的在位监测系统, 研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN时, GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律. 在位监测曲线及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明, 缓冲层生长压力越大, GaN缓冲层退火后成核中心体积越小, 表面粗糙度越大, 高温生长GaN岛间合并延迟. X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测量结果表明, GaN缓冲层生长压力增大时外延的GaN结晶质量得到改善.
英文摘要	利用自制的在位监测系统, 研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN时, GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律. 在位监测曲线及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明, 缓冲层生长压力越大, GaN缓冲层退火后成核中心体积越小, 表面粗糙度越大, 高温生长GaN岛间合并延迟. X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测量结果表明, GaN缓冲层生长压力增大时外延的GaN结晶质量得到改善.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:33导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4612.pdf: 533350 bytes, checksum: 425ef7ad4bf627e76916b72369334518 (MD5) Previous issue date: 2004; 国家自然科学基金,国家杰出青年基金,NSFC-RGC联合基金; 四川大学材料科学系;中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,国家杰出青年基金,NSFC-RGC联合基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17227]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王玉田,张书明,朱建军. 缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响[J]. 中国科学. E辑，技术科学,2004,34(0):1.
APA	王玉田,张书明,&朱建军.(2004).缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响.中国科学. E辑，技术科学,34(0),1.
MLA	王玉田,et al."缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响".中国科学. E辑，技术科学 34.0(2004):1.