立方相GaN的持续光电导

	立方相GaN的持续光电导
	赵德刚
刊名	半导体学报
	2003
卷号	24 期号:1 页码:34-38
中文摘要	研究了金属有机物化学气相外延（MOVPE）方法生长的非故障掺杂的立方相GaN的持续光电导效应，在六方相GaN中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关，而实验则显示在立方GaN中，持续光电导效应与其中的六方相GaN夹杂有关系，而与黄光发射没有关系，文中提出，立方相GaN与其中的六方相GaN夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因，通过建立势垒限制复合模型，解释了立方相GaN的持续光电导现象的物理过程，并对光电导衰减过程的动力学作了分析，对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	NSFC-RGC联合基金（Nos.5 1161953,N_HKU 28/ )资助项目,国家自然科学基金（批准号
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17689]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	赵德刚. 立方相GaN的持续光电导[J]. 半导体学报,2003,24(1):34-38.
APA	赵德刚.(2003).立方相GaN的持续光电导.半导体学报,24(1),34-38.
MLA	赵德刚."立方相GaN的持续光电导".半导体学报 24.1(2003):34-38.