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科研机构
半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2010 [1]
2007 [5]
2006 [3]
2005 [1]
学科主题
光电子学 [10]
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Microstructure and strain analysis of GaN epitaxial films using in-plane grazing incidence x-ray diffraction
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: art. no. 076804
Guo X (Guo Xi)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Qiu YX (Qiu Yong-Xin)
;
Xu K (Xu Ke)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2010/08/17
in-plane grazing incidence x-ray diffraction
gallium nitride
mosaic structure
biaxial strain
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LATTICE-CONSTANTS
ALN
Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN?
期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Liang, JW
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:51/5
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
MG-DOPED GAN
UNDOPED GAN
PHOTOLUMINESCENCE BANDS
THREADING DISLOCATIONS
POSITRON-ANNIHILATION
GROWTH STOICHIOMETRY
GALLIUM NITRIDE
Correlation between optical and structural properties of (Al,Ga)N layers grown by MOCVD
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2007, 卷号: 204, 期号: 1, 页码: 294-298
Jahn U (Jahn Uwe)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Ploog KH (Ploog Klaus H.)
;
Wang XL (Wang Xiaolan)
;
Zhao DG (Zha0 Degang)
;
Yang H (Yang, Hui)
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Influence of the AlN interlayer crystal quality on the strain evolution of GaN layer grown on Si (111)
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 1, 页码: art.no.011914
Liu W
;
Zhu JJ
;
Jiang S
;
Yang H
;
Wang JF
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Influence of defects in n(-)-GaN layer on the responsivity of Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 6, 页码: art.no.062106
作者:
Li XY
;
Jiang DS
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Zhang SM
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Optical analysis of dislocation-related physical processes in GaN-based epilayers
期刊论文
physica status solidi b-basic solid state physics, 2007, 卷号: 244, 期号: 8, 页码: 2878-2891
Jiang, DS (Jiang, De-Sheng)
;
Zhao, DG (Zhao, De-Gang)
;
Yang, H (Yang, Hui)
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Strain evolution in GaN layers grown on high-temperature AlN interlayers
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: art.no.152105
Wang JF (Wang J. F.)
;
Yao DZ (Yao D. Z.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
STRESS EVOLUTION
DEFECT STRUCTURE
EPITAXIAL GAN
THIN-FILMS
ALGAN
DISLOCATIONS
RELAXATION
REDUCTION
Reduction of dislocations in GaN epilayer grown on Si (111) substrates using a GaN intermedial layer
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594
Wang JF (Wang Jian-Feng)
;
Zhang BS (Zhang Bao-Shun)
;
Zhang JC (Zhang Ji-Cai)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Chen J (Chen Jun)
;
Liu W (Liu Wei)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Yao DZ (Yao Duan-Zheng)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HIGH-QUALITY GAN
ALN BUFFER LAYER
NUCLEATION LAYER
PHASE EPITAXY
EVOLUTION
DENSITY
SILICON
STRESS
SI
Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type GaN
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.241917
作者:
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Li XY
;
Zhang SM
;
Zhao DG
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
MG-DOPED GAN
UNDOPED GAN
PHOTOLUMINESCENCE BANDS
THREADING DISLOCATIONS
POSITRON-ANNIHILATION
GROWTH STOICHIOMETRY
GALLIUM NITRIDE
Lateral phase separation in AlGaN grown on GaN with a high-temperature AIN interlayer
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 12, 页码: art.no.121914
作者:
Yang H
;
Yang H
;
Wang H
;
Jiang DS
;
Zhang SM
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提交时间:2010/03/17
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
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