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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2019 作者:  赵京昊 收藏  |  浏览/下载：239/0  |  提交时间：2019/07/15 电离总剂量辐射  热载流子效应  栅氧经时击穿  负偏置温度不稳定性   总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  赵京昊 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/07/15 电离总剂量辐射  热载流子效应  栅氧经时击穿  负偏置温度不稳定性   体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文 电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/06/21 总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离   A study on effects of total ionizing dose on hot carrier effect of PD I/O SOI PMOSFETs 期刊论文 RESULTS IN PHYSICS, 2019, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 1-5 作者:  Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ];  Zhou, H (Zhou, Hang)[ 1,2,3 ];  Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ] 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/03/20 Hot carrier effect  PMOS  Total ionizing dose effect   体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文 电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2020/03/19 总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离