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| Impact of Critical Geometry Dimension on Channel Boosting Potential in 3D NAND Memory 会议论文
作者: Huo ZL(霍宗亮) ; Tang ZY(唐兆云); Xu Q(徐强); Hong PZ(洪培真); Zou XQ(邹兴奇)
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| Simulation On Threshold Voltage Of L-Shaped Bottom Select Transistor In 3D NANDFlash Memory 会议论文
作者: Huo ZL(霍宗亮); Tang ZY(唐兆云); Hong PZ(洪培真); Xu Q(徐强); Zou XQ(邹兴奇)
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| String Select Transistor Leakage Suppression By Threshold Voltage Modulation In 3DNAND Flash Memory 会议论文
作者: Huo ZL(霍宗亮); Tang ZY(唐兆云); Hong PZ(洪培真); Xu Q(徐强); Li DH(李东华)
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| 一种垂直沟道型三维半导体存储器件及其制备方法 专利
专利号: US9437609, 申请日期: 2016-09-06, 公开日期: 2015-06-25
作者: 霍宗亮; 刘明
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| Performance Enhancement of Metal Floating Gate Memory By Using a Bandgap Engineered High-k Tunneling Barrier 会议论文
作者: Huo ZL(霍宗亮); Tang ZY(唐兆云); Zhang Y(张瑜); Zou XQ(邹兴奇); Chen GX(陈国星)
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| Investigation of tunneling layer and inter-gate-dielectric engineered TaN floating gate memory 期刊论文
Integrated Ferroelectrics, 2016
作者: 存储器研发中心; Huo ZL(霍宗亮); Fu LY(付丽银); Jin L(靳磊); Jiang DD(姜丹丹)
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| 三维层叠存储器及其制造方法 专利
专利号: CN201110376702.6, 申请日期: 2016-05-04, 公开日期: 2013-06-05
作者: 霍宗亮; 刘明
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| 2T纳米晶存储器阵列及其操作方法 专利
专利号: CN201210048730.X, 申请日期: 2016-04-13, 公开日期: 2013-09-11
作者: 王琴; 杨潇楠; 王永; 张满红; 霍宗亮
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| 分裂栅存储器及其制造方法 专利
专利号: CN201110147095.6, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2012-12-05
作者: 刘明; 姜丹丹; 霍宗亮; 张满红; 王琴
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| 一种半导体存储器件 专利
专利号: CN201110137561.2, 申请日期: 2016-02-17, 公开日期: 2012-11-28
作者: 刘明; 许中广; 霍宗亮; 龙世兵; 谢常青
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