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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of the Interface Quality and Reliability of 4H-SiC MOS Structure with NO and Forming Gas Annealing Treatment 期刊论文 Materials Science Forum, 2016 作者:  Wang YY(王弋宇);  Peng CY(彭朝阳);  Bai Y(白云);  Tang YD(汤益丹);  Wu J(吴佳) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/05/08 Effects of combined NO and forming gas annealing on interfacial properties and oxide reliability of 4H-SiC MOS structures 期刊论文 Microelectronics Reliability, 2016 作者:  Liu XY(刘新宇);  Wu J(吴佳);  Wang YY(王弋宇);  Peng CY(彭朝阳);  Li CZ(李诚瞻) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/05/08