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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210336478.2, 申请日期: 2016-12-28, 公开日期: 2014-03-26
作者: 陈广璐; 李春龙 ; 李俊峰; 闫江; 孟令款
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| FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin 会议论文
作者: Wu ZH(吴振华); Luo J(罗军); Meng LK(孟令款); Zhang QZ(张青竹); Li YD(李昱东)
收藏 | 浏览/下载：32/0 | 提交时间：2017/05/19 |
| A Novel Nanofabrication Technique of Silicon-Based Nanostructures 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2016
作者: Meng LK(孟令款); He XB(贺晓彬); Gao JF(高建峰); Li JJ(李俊杰)
收藏 | 浏览/下载：25/0 | 提交时间：2017/05/09 |
| Gate patterning in 14 nm and beyond nodes: from planar devices to three dimensional Finfet devicesLingkuan 期刊论文
Applied Surface Science, 2016
作者: Meng LK(孟令款); Hong PZ(洪培真); He XB(贺晓彬); Li CL(李春龙); Li JJ(李俊杰)
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2017/05/09 |
| Novel top-down fabrication of Si-based nanostructures with sub-20nm scale 期刊论文
IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2016
作者: Meng LK(孟令款); Yan J(闫江)
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2017/05/09 |
| Atomic layer deposition assisted pattern transfer technology for ultra-thin block copolymer films 期刊论文
Thin Solid Films, 2016
作者: Chen WH(陈文辉); Luo J(罗军); Meng LK(孟令款); Li JJ(李俊杰); Xiang JJ(项金娟)
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2017/05/09 |
| 半导体器件制造方法 专利
专利号: US9331172, 申请日期: 2016-03-03, 公开日期: 2014-03-20
作者: 李春龙; 李俊峰; 闫江; 孟令款; 贺晓彬
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| 半导体器件的制造方法 专利
专利号: CN201110215069.2, 申请日期: 2016-02-17, 公开日期: 2013-01-30
作者: 陈大鹏; 殷华湘; 徐秋霞; 孟令款
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