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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2015     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Novel 14-nm Scallop-Shaped FinFETs (S-FinFETs) on Bulk-Si Substrate 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2015 作者:  Xu WJ(徐唯佳);  Yin HX(殷华湘);  Ma XL(马小龙);  Hong PZ(洪培真);  Xu M(许淼) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/05/31 Impact of Continuing Scaling on the Device Performance of 3D Cylindrical Junction-less Charge Trapping Memory 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2015 作者:  Ye TC(叶甜春);  Li CL(李春龙);  Tang ZY(唐兆云);  Xu Q(徐强);  Hong PZ(洪培真) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/06/03 Gate-All-Around Silicon Nanowire Transistors with Channel-Last Process on Bulk Si Substrate 期刊论文 IEICE Electronics Express, 2015 作者:  Ma XL(马小龙);  Yin HX(殷华湘);  Hong PZ(洪培真) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/05/31 Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2015 作者:  Zhao ZG(赵治国);  Luo J(罗军);  Yang H(杨红);  Meng LK(孟令款);  Hong PZ(洪培真) 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2016/05/31 Self-Aligned Fin-On-Oxide (FOO) FinFETs for Improved SCE Immunity and Multi-VTH Operation on Si Substrate 期刊论文 ECS Solid State Letters, 2015 作者:  Yin HX(殷华湘);  Ma XL(马小龙);  Hong PZ(洪培真);  Xu WJ(徐唯佳) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/05/31 Planar Bulk MOSFETs With Self-Aligned Pocket Well to Improve Short-Channel Effects and Enhance Device Performance 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015 作者:  Zhao YY(赵玉印);  He XB(贺晓彬);  Gao JF(高建峰);  Xu Q(徐强);  Li JJ(李俊杰) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/05/31