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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2015    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Advantages of InGaN Light Emitting Diodes With Alternating Quantum Barriers 期刊论文 journal of display technology, 2015, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 456-460 Yujue Yang; Lian Zhang; Tongbo Wei; Yiping Zeng 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/03/29 Surface Plasmon Enhanced Hot Exciton Emission in Deep UV-Emitting AlGaN Multiple Quantum 期刊论文 advanced optical materials, 2015, 卷号: 2, 期号: 5, 页码: 451-458 Jun Yin; Yang Li; Shengchang Chen; Changqing Chen; Jing Li; Junyong Kang; Wei Li; Peng Jin; Yonghai Chen; Zhihao Wu; Jiangnan Dai; Yanyan Fang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/03/29 Effect of the thickness of InGaN interlayer on the a-plane GaN epilayer 期刊论文 chinese physics b, 2015, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 26802-26806 Jian-Xia Wang; Lian-Shan Wang; Qian Zhang; Xiang-Yue Meng; Shao-Yan Yang; Gui-Juan Zhao; Hui-Jie Li; Hong-Yuan Wei; Zhan-Guo Wang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/03/29 Morphology and composition controlled growth of polar c-axis and nonpolar m-axis well-aligned 期刊论文 nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 39, 页码: 16481-16492 Huijie Li; Guijuan Zhao; Susu Kong; Dongyue Han; Hongyuan Wei; Lianshan Wang; Zhen Chen; Shaoyan Yang 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/03/29 Nanoscale opening fabrication on Si (111) surface from SiO2 barrier for vertical growth of III-V nanowire arrays 期刊论文 nanotechnology, 2015, 卷号: 26, 期号: 26, 页码: 265302 Tuanwei Shi; Xiaoye Wang; Baojun Wang; Wei Wang; Xiaoguang Yang; Wenyuan Yang; Qing Chen; Hongqi Xu; Shengyong Xu; Tao Yang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/03/23 Theoretical study of the anisotropic electron scattering by steps in vicinal AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文 physica e: low-dimensional systems and nanostructures, 2015, 卷号: 66, 页码: 116-119 Huijie Li; Guipeng Liu; Guijuan Zhao; Hongyuan Wei; Lianshan Wang; Shaoyan Yang; Zhen Chen; Zhanguo Wang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/03/29