| Advantages of InGaN Light Emitting Diodes With Alternating Quantum Barriers | |
| Yujue Yang ; Lian Zhang ; Tongbo Wei ; Yiping Zeng | |
| 刊名 | journal of display technology
 |
| 2015 | |
| 卷号 | 11期号:5页码:456-460 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-29 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26846]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yujue Yang,Lian Zhang,Tongbo Wei,et al. Advantages of InGaN Light Emitting Diodes With Alternating Quantum Barriers[J]. journal of display technology,2015,11(5):456-460. |
| APA | Yujue Yang,Lian Zhang,Tongbo Wei,&Yiping Zeng.(2015).Advantages of InGaN Light Emitting Diodes With Alternating Quantum Barriers.journal of display technology,11(5),456-460. |
| MLA | Yujue Yang,et al."Advantages of InGaN Light Emitting Diodes With Alternating Quantum Barriers".journal of display technology 11.5(2015):456-460. |
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