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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2014    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effects of process condition of Top-TiN and TaN thickness on the effective work function of MOSCAP with high-k/metal gate stacks 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2014 作者:  Chen DP(陈大鹏);  Ma XL(马雪丽);  Yang H(杨红);  Wang WW(王文武);  Yin HX(殷华湘) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2015/05/06 An effective work-function tuning method of nMOSCAP with high-k/metal gate by TiN/TaN double-layer stack thickness 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2014 作者:  Chen DP(陈大鹏);  Ma XL(马雪丽);  Yang H(杨红);  Wang WW(王文武);  Yin HX(殷华湘) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/05/06 Integration of highly-strained SiGe materials in 14nm and beyond nodes FinFET technology 期刊论文 Solid-State Electronics, 2014 作者:  Li JF(李俊峰);  Wang GL(王桂磊);  Luo J(罗军);  Guo YL(郭奕栾);  Chen T(陈韬) 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/04/24 Study of Hetero-Tunneling gFET with an Ultra-shallow Pocket Junction 会议论文 作者:   收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/05/07 Study of Si Green Transistor with an Ultra-shallow Pocket Junction 会议论文 作者:  Li CL(李春龙);  Li JJ(李俊杰);  Xu GB(许高博);  Xu QX(徐秋霞);  Yin HX(殷华湘) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/05/07