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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2009 [6]
学科主题
半导体物理 [6]
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发表日期:2009
学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
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浏览/下载:70/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Electronic and Mechanical Coupling in Bent ZnO Nanowires
期刊论文
advanced materials, 2009, 卷号: 21, 期号: 48, 页码: 4937
Han XB
;
Kou LZ
;
Lang XL
;
Xia JB
;
Wang N
;
Qin R
;
Lu J
;
Xu J
;
Liao ZM
;
Zhang XZ
;
Shan XD
;
Song XF
;
Gao JY
;
Guo WL
;
Yu DP
收藏
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/04/04
QUANTUM WIRES
SI SUBSTRATE
STRAIN
ARRAYS
PHOTOLUMINESCENCE
SILICON
Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: art. no. 123705
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
收藏
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浏览/下载:82/4
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提交时间:2010/03/08
EMISSION
SPECTRA
LASERS
8-BAND
Electronic structure and optical gain of truncated InAs1-xNx/GaAs quantum dots
期刊论文
superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 498-506
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
收藏
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浏览/下载:49/4
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提交时间:2010/03/08
Band structure
k.p method
Quantum dots
Diluted nitride
Optical gain
Enhancement of field emission of the ZnO film by the reduced work function and the increased conductivity via hydrogen plasma treatment
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 26, 页码: art. no. 262105
作者:
Zhang XW
;
Yin ZG
;
You JB
收藏
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浏览/下载:99/13
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提交时间:2010/03/08
atomic force microscopy
field emission
hydrogen
II-VI semiconductors
plasma materials processing
sputter deposition
wide band gap semiconductors
work function
zinc compounds
Magnetic coupling properties of rare-earth metals (Gd, Nd) doped ZnO: First-principles calculations
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 023910
Shi HL
;
Zhang P
;
Li SS
;
Xia JB
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浏览/下载:107/25
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提交时间:2010/03/08
FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR
BAND-STRUCTURE
STABILIZATION
INJECTION
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