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科研机构
半导体研究所 [23]
内容类型
期刊论文 [23]
发表日期
2006 [23]
学科主题
半导体材料 [7]
光电子学 [3]
半导体物理 [1]
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发表日期:2006
专题:半导体研究所
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Molecular beam epitaxy inas dot arrays on ingaas/gaas
期刊论文
Nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850
作者:
Jiao, Y. H.
;
Wu, J.
;
Xu, B.
;
Jin, P.
;
Hu, L. J.
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Small-signal power measuring technique for measuring the frequency response of electroabsorption modulators
期刊论文
Ieee photonics technology letters, 2006, 卷号: 18, 期号: 21-24, 页码: 2451-2453
作者:
Huang, H. P.
;
Zhu, N. H.
;
Hasen, Q. Q. G.
;
Liu, Y.
;
Wang, X.
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Electroabsorption (ea) modulator
Frequency response
Small-signal power measuring technique
Different temperature and pressure behavior of band edge and n-cluster emissions in gaas0.973sb0.022n0.005
期刊论文
Physical review b, 2006, 卷号: 74, 期号: 19, 页码: 6
作者:
Wang, W. J.
;
Su, F. H.
;
Ding, K.
;
Li, G. H.
;
Yoon, S. F.
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Tunable spin transport in magnetic-electric superlattice
期刊论文
Physics letters a, 2006, 卷号: 358, 期号: 5-6, 页码: 470-473
作者:
Wei, J. S.
;
Wang, R. Z.
;
Yuan, R. Y.
;
Song, X. M.
;
Wang, B.
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/05/12
Spin transport
Superlattice
Tunable magnetic-electric
Electrical properties of undoped in0.53ga0.47as grown on inp substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 291-293
作者:
Cui, L. J.
;
Zeng, Y. P.
;
Wang, B. Q.
;
Zhu, Z. P.
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Characterization
Point defects
Molecular beam epitaxy
Semiconducting gallium compounds
Semiconducting indium compounds
Semiconducting ternary compounds
Mbe inas quantum dots grown on metamorphic ingaas for long wavelength emitting
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 194-198
作者:
Jiao, Y. H.
;
Wu, J.
;
Xu, B.
;
Jin, P.
;
Hu, L. J.
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Metamorphic
Long wavelength
Quantum dots
Molecular beam epitaxy
Correlation between optical and electrical properties in in0.52al0.48as/inxga1-xas metamorphic high-electron-mobility-transistor structures on gaas substrates
期刊论文
Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 3, 页码: 4
作者:
Cui, L. J.
;
Zeng, Y. P.
;
Wang, B. Q.
;
Zhu, Z. P.
;
Guo, S. L.
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Large g factors of higher-lying excitons detected with reflectance difference spectroscopy in gaas-based quantum wells
期刊论文
Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 5, 页码: 3
作者:
Chen, Y. H.
;
Ye, X. L.
;
Xu, B.
;
Wang, Z. G.
;
Yang, Z.
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Influence of indium-tin-oxide thin-film quality on reverse leakage current of indium-tin-oxide/n-gan schottky contacts
期刊论文
Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 3
作者:
Wang, R. X.
;
Xu, S. J.
;
Djurisic, A. B.
;
Beling, C. D.
;
Cheung, C. K.
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Room-temperature continuous-wave operation of inas quantum-wire laser on inp(001) substrate
期刊论文
Electronics letters, 2006, 卷号: 42, 期号: 13, 页码: 757-758
作者:
Yang, X. R.
;
Xu, B.
;
Wang, Z. G.
;
Jin, P.
;
Liang, P.
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
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