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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2002 [8]
学科主题
半导体材料 [8]
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发表日期:2002
学科主题:半导体材料
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Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2010/08/12
GaN
epitaxial lateral overgrowth
crystallographic tilt
double crystal X-ray diffraction
FILMS
DEFECTS
GAAS
Influence of Fe Doping Concentration on Some Properties of Semi-Insulating InP
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 1041-1045
Zhao Youwen
;
Luo Yilin
;
Feng Hanyuan
;
Beling C D
;
Lin Lanying
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
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浏览/下载:84/5
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提交时间:2010/08/12
wafer bonding
cubic
GaN/GaAs(001)
Si-substrate
LIGHT-EMITTING-DIODES
P-TYPE GAN
RESISTANCE
CONTACT
LASER
Structural characterization of epitaxial lateral overgrown GaN on patterned GaN/GaAs(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72
Shen XM
;
Fu Y
;
Feng G
;
Zhang BS
;
Feng ZH
;
Wang YT
;
Yang H
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
transmission electron microscopy
X-ray diffraction
epitaxial lateral overgrowth
metalorganic vapor phase epitaxy
cubic gallium nitride
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
CUBIC GAN
PHASE EPITAXY
REDUCTION
GROWTH
Effect on the optical properties and surface morphology of cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:92/4
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提交时间:2010/08/12
crystal morphology
doping
surface structure
metalorgamc chemical vapor deposition
nitrides
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
FILMS
CATHODOLUMINESCENCE
Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
etching
metalorganic vapor-phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
DISLOCATIONS
DENSITY
GROWTH
LAYERS
Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 124-128
Zheng XH
;
Feng ZH
;
Wang YT
;
Zheng WL
;
Jia QJ
;
Jiang XM
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:125/0
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提交时间:2010/08/12
nucleation layers
X-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
gallium compounds
nitrides
LIGHT-EMITTING-DIODES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AIN BUFFER LAYER
GROWN GAN
SAPPHIRE SUBSTRATE
QUALITY
FILMS
BLUE
TEMPERATURE
EVOLUTION
Fiber Coupling of Laser Diode Bar to Multimode Fiber Array
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 464-467
作者:
Liu Bin
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提交时间:2010/11/23
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