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近代物理研究所 [34]
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期刊论文 [28]
会议论文 [6]
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2019 [2]
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Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 6
作者:
Gao, J.
;
Zhang, Q.
;
Xi, K.
;
Li, B.
;
Wang, C.
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2022/01/24
SEE
SEU
SOI SRAM
C
X-ray emission produced by interaction of slow highly charged Oq+ ions with Al surfaces
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 卷号: 70, 期号: 19, 页码: 7
作者:
Bing-Zhang, Zhang
;
Zhang-Yong, Song
;
Xuan, Liu
;
Cheng, Qian
;
Xin, Fang
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2021/12/08
highly charged ion
X-rays
hollow atoms
kinetic energy threshold
Impact of heavy ion energy and species on single-event upset in commercial floating gate cells
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 120, 页码: 6
作者:
Ye, Bing
;
Mo, Li-Hua
;
Zhai, Peng-Fei
;
Cai, Li
;
Liu, Tao
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2021/12/09
Flash memories
Linear energy transfer
Single-event upset
Heavy ions
Geant4
Neutron-induced single event upset simulation in Geant4 for three-dimensional die-stacked SRAM*
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 8
作者:
Mo, Li-Hua
;
Ye, Bing
;
Liu, Jie
;
Luo, Jie
;
Sun, You-Mei
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浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2021/12/10
neutron
three-dimension ICs
single event upset
multi-bit upset
Geant4
Mechanisms of alpha particle induced soft errors in nanoscale static random access memories
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2020, 卷号: 69, 期号: 13, 页码: 9
作者:
Zhang Zhan-Gang
;
Ye Bing
;
Ji Qing-Gang
;
Guo An-Long
;
Xi Kai
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2022/01/12
alpha particle
soft error
single event upset
accelerated test
Multi-frequency point supported LLRF front-end for CiADS wide-bandwidth application
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2020, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 8
作者:
Chen, Qi
;
Gao, Zheng
;
Zhu, Zheng-Long
;
Xue, Zong-Heng
;
He, Yuan
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2022/01/18
Frequency jump
RF Front-end
LLRF
CiADS
Analysis and simultion. for Compton camera's imaging resolution
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2019, 卷号: 68, 期号: 11, 页码: 9
作者:
Cai Xiao-Hong
;
Song Zhang-Yong
;
Yu De-Yang
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2019/11/10
Compton camera
heavy ion therapy
Geant 4 simulation
back-projection imaging
Heavy-ion and pulsed-laser single event effects in 130-nm CMOS-based thin/thick gate oxide anti-fuse PROMs
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2019, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 11
作者:
Zhao, Pei-Xiong
;
Geng, Chao
;
Zhang, Zhan-Gang
;
Liu, Jie
;
Li, Xiao-Yuan
收藏
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2019/11/10
Anti-fuse PROM
Single event effects
Heavy ions
Pulsed laser
Space error rate
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose
会议论文
Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017
作者:
Zheng, Qiwen
;
Cui, Jiangwei
;
Lu, Wu
;
Guo, Hongxia
;
Liu, Jie
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2018/10/08
Charge sharing
single-event upset (SEU)
static random access memory
total ionizing dose (TID)
Anomalous annealing of floating gate errors due to heavy ion irradiation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 418, 页码: 80-86
作者:
Hou, Mingdong
;
Zhao, Peixiong
;
Luo, Jie
;
Ji, Qinggang
;
Ye, Bing
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2018/05/31
Annealing
Flash memories
Heavy ions
Multiple cell upsets
Radiation effects
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