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半导体研究所 [77]
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专题:半导体研究所
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Surface characterization of algan grown on si (111) substrates
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32
作者:
Pan, Xu
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Feng, Chun
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Island nucleation
Raman scattering
Si (111) substrate
Algan epilayers
Vi/ii ratio-dependent growth and photoluminescence of cubic cdse epilayers by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 329, 期号: 1, 页码: 1-5
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Yang, Qiumin
;
Li, Yiyang
;
Cui, Lijie
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
Reflection high-energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Cadmium compounds
Semiconducting ii-vi materials
Growth and annealing of zinc-blende cdse thin films on gaas (001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 21, 页码: 9038-9043
作者:
Yang, Qiumin
;
Zhao, Jie
;
Guan, Min
;
Liu, Chao
;
Cui, Lijie
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Cdse
Molecular beam epitaxy
Reflection high energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane inn films grown on gamma-lialo2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 5
作者:
Fu, D.
;
Zhang, R.
;
Liu, B.
;
Xie, Z. L.
;
Xiu, X. Q.
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Effect of aln buffer thickness on gan epilayer grown on si(1 1 1)
期刊论文
Materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100
作者:
Wei, Meng
;
Wang, Xiaoliang
;
Pan, Xu
;
Xiao, Hongling
;
Wang, CuiMei
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Mocvd
Si(111)
Aln
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:35/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Preparation and optical performance of freestanding gan thick films
期刊论文
Rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:
Hu Qiang
;
Wei Tongbo
;
Duan Ruifei
;
Yang Jiankun
;
Huo Ziqiang
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Hvpe
Freestanding thick films
Stress release
Photoluminescence
Optimization of vi/ii pressure ratio in znte growth on gaas(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
Applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Liu, Chao
;
Cui, Lijie
;
Li, Yanbo
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Znte
Molecular beam epitaxy
Reflection high-energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
Substrate temperature dependence of znte epilayers grown on gaas(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Liu, Chao
;
Li, Yanbo
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting ii-vi materials
Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Cui LJ (Cui Lijie)
;
Li YB (Li Yanbo)
收藏
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浏览/下载:158/17
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提交时间:2010/07/05
ZnTe
Molecular beam epitaxy
Reflection high-energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
VAPOR-PHASE EPITAXY
N-TYPE ZNTE
MBE GROWTH
100 GAAS
ZNSE
LAYERS
SURFACE
TEMPERATURE
SUBSTRATE
EPILAYERS
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