QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of substrate misorientation on the inas/inalas/inp nanostructure morphology and lateral composition modulation in the inalas matrix 期刊论文 Applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 3 作者:  Lei, W.;  Wang, Y. L.;  Chen, Y. H.;  Jin, P.;  Ye, X. L. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of substrate misorientation on the InAs/InAlAs/InP nanostructure morphology and lateral composition modulation in the InAlAs matrix 期刊论文 applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: art.no.103118 作者:  Xu B;  Ye XL;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2010/03/29 INAS QUANTUM DOTS   Temperature-dependent bimodal size evolution of inas quantum dots on vicinal gaas(100) substrates 期刊论文 Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 10, 页码: 5 作者:  Liang, S.;  Zhu, H. L.;  Wang, W. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of gaas(100) 2 degrees surface misorientation on the formation and optical properties of mocvd grown inas quantum dots 期刊论文 Applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 23, 页码: 8126-8130 作者:  Liang, S.;  Zhu, H. L.;  Ye, X. L.;  Wang, W. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Quantum dots  Indium arsenide   Effect of GaAS(100) 2 degrees surface misorientation on the formation and optical properties of MOCVD grown InAs quantum dots 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 23, 页码: 8126-8130 Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Ye XL (Ye X. L.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/04/11 photoluminescence  quantum dots  indium arsenide  1.3 MU-M  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE-EPITAXY  GAAS  LUMINESCENCE  SUBSTRATE  ISLANDS  DENSITY  LASERS  LAYER   Temperature-dependent bimodal size evolution of InAs quantum dots on vicinal GaAs(100) substrates 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 10, 页码: art.no.103503 Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  OPTICAL-PROPERTIES  PHASE-EPITAXY  MU-M  GAAS  SURFACE  GROWTH  MISORIENTATION  FABRICATION  UNIFORMITY   Triclinic deformation and anisotropic strain relaxation of an inas film on a gaas(001) substrate measured by a series of symmetric double crystal x-ray diffraction 期刊论文 Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 627-630 作者:  Wang, HM;  Zeng, YP;  Zhou, HW;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Triclinic deformation and anisotropic strain relaxation of an InAs film on a GaAs(001) substrate measured by a series of symmetric double crystal X-ray diffraction 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 627-630 Wang HM; Zeng YP; Zhou HW; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HALL ELEMENTS  GAAS  MISORIENTATION  DISTORTION  LAYERS  MBE  SI  HETEROSTRUCTURES  GROWTH