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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104 作者:  Deng QW 收藏  |  浏览/下载：47/5  |  提交时间：2011/07/05 QUANTUM-WELL-STRUCTURE  ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE  YELLOW LUMINESCENCE  DEEP LEVELS  TRAP  PERFORMANCE  FREQUENCY  EPILAYERS  ORIGIN  DIODES   Effect of thermal annealing on hole trap levels in Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of vacuum science & technology a, 2000, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 261-267 Zhu QS; Nagai H; Kawaguchi Y; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN  DEEP LEVELS   Hole trap levels in Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 14, 页码: 2024-2026 Nagai H; Zhu QS; Kawaguchi Y; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN  DEEP LEVELS