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半导体研究所 [60]
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期刊论文 [54]
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专题:半导体研究所
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Structures and optical characteristics of ingan quantum dots grown by mbe
期刊论文
Rare metal materials and engineering, 2011, 卷号: 40, 期号: 11, 页码: 2030-2032
作者:
Wang Baozhu
;
Yan Cuiying
;
Wang Xiaoliang
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Ingan
Quantum dot
Mbe
Highly reproducible nanolithography by dynamic plough of an atomic-force microscope tip and thermal-annealing treatment
期刊论文
Ieee transactions on nanotechnology, 2011, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 53-58
作者:
Lu, Xiaofeng
;
Balocco, Claudio
;
Yang, Fuhua
;
Song, Aimin M.
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Atomic-force microscope (afm)
Nanolithography
Self-switching diodes (ssds)
2-d electron gas
Highly Reproducible Nanolithography by Dynamic Plough of an Atomic-Force Microscope Tip and Thermal-Annealing Treatment
期刊论文
ieee transactions on nanotechnology, 2011, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 53-58
Lu XF
;
Balocco C
;
Yang FH
;
Song AM
收藏
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浏览/下载:71/7
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提交时间:2011/07/05
Atomic-force microscope (AFM)
nanolithography
self-switching diodes (SSDs)
2-D electron gas
CONDUCTING POLYMER-FILMS
NANOMETER-SCALE
LITHOGRAPHY
FABRICATION
SURFACES
DEVICES
NANOSTRUCTURES
Structure, Stress State and Piezoelectric Property of GaN Nanopyramid Arrays
期刊论文
applied physics express, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: article no.45001
Liu JQ
;
Wang JF
;
Gong XJ
;
Huang J
;
Xu K
;
Zhou TF
;
Zhong HJ
;
Qiu YX
;
Cai DM
;
Ren GQ
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:71/3
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提交时间:2011/07/05
OUTPUT VOLTAGE
NANOWIRES
NANOGENERATORS
GROWTH
The two- to three-dimensional growth transition of inas/gaas epitaxy layer studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: 4
作者:
Zhou, G. Y.
;
Chen, Y. H.
;
Tang, C. G.
;
Liang, L. Y.
;
Jin, P.
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Impact of thickness of gan buffer layer on properties of aln/gan distributed bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 2, 页码: 313-316
作者:
Wu ChaoMin
;
Shang JingZhi
;
Zhang BaoPing
;
Zhang JiangYong
;
Yu JinZhong
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Mocvd
Dbr
High-reflectivity
Nitride
The two- to three-dimensional growth transition of InAs/GaAs epitaxy layer studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083513
Zhou GY (Zhou G. Y.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Tang CG (Tang C. G.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/12/05
QUANTUM-DOT SYSTEM
ISLAND FORMATION
IN-SITU
EVOLUTION
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
Impact of thickness of GaN buffer layer on properties of AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 2, 页码: 313-316
Wu CM (Wu ChaoMin)
;
Shang JZ (Shang JingZhi)
;
Zhang BP (Zhang BaoPing)
;
Zhang JY (Zhang JiangYong)
;
Yu JZ (Yu JinZhong)
;
Wang QM (Wang QiMing)
收藏
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浏览/下载:73/2
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提交时间:2010/05/04
MOCVD
DBR
high-reflectivity
nitride
SURFACE-EMITTING LASER
Enhancement of field emission of the ZnO film by the reduced work function and the increased conductivity via hydrogen plasma treatment
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 26, 页码: art. no. 262105
作者:
Zhang XW
;
Yin ZG
;
You JB
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浏览/下载:99/13
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提交时间:2010/03/08
atomic force microscopy
field emission
hydrogen
II-VI semiconductors
plasma materials processing
sputter deposition
wide band gap semiconductors
work function
zinc compounds
High-density and narrow size-distribution inas quantum dots formed by a modified two-step growth
期刊论文
Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 323-327
作者:
She-Song, Huang
;
Zhi-Chuan, Niu
;
Feng, Zhan
;
Hai-Qiao, Ni
;
Huan, Zhao
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/05/12
Molecular beam epitaxy
Quantum dots
A modified two-step growth
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