×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [99]
内容类型
期刊论文 [92]
会议论文 [7]
发表日期
2015 [1]
2013 [1]
2011 [8]
2010 [4]
2009 [27]
2008 [12]
更多...
学科主题
半导体材料 [48]
半导体物理 [21]
光电子学 [5]
半导体器件 [2]
微电子学 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共99条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Evolution of microstructure and mechanical properties of a dissimilar aluminum alloy weldment
期刊论文
materials and design, 2015, 卷号: 90, 页码: 230-237
Xiaodong Wang
;
Shengcheng Mao
;
Peng Chen
;
Yinong Liu
;
Jin Ning
;
Haixin Li
;
Ketao Zang
;
Ze Zhang
;
Xiaodong Han
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2016/04/15
19μm quantum cascade infrared photodetectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 19, 页码: 191120 - 191120-4
作者:
Zhai, Shen-Qiang
;
Liu, Jun-Qi
;
Wang, Xue-Jiao
;
Zhuo, Ning
;
Liu, Feng-Qi
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2014/02/12
Aluminium Compounds
Gallium Compounds
Iii-v Semiconductors
Indium Compounds
Infrared Detectors
Leakage Currents
Photodetectors
Photodetectors
Bolometers
Infrared Submillimeter Wave microWave And radioWave Receivers And Detectors
Spatial hole burning degradation of algaas/gaas laser diodes
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 10, 页码: 3
作者:
Qiao, Y. B.
;
Feng, S. W.
;
Xiong, C.
;
Wang, X. W.
;
Ma, X. Y.
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Carrier density
Cathodoluminescence
Gallium arsenide
Iii-v semiconductors
Optical hole burning
Optical microscopy
Quantum well lasers
Semiconductor epitaxial layers
X-ray diffraction
Metal electrode influence on the wet selective etching of gaas/algaas
期刊论文
Journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 4
作者:
Wang Jie
;
Han Qin
;
Yang Xiao-Hong
;
Wang Xiu-Ping
;
Ni Hai-Qiao
收藏
  |  
浏览/下载:120/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Chromium alloys
Copper alloys
Electrochemical analysis
Electrochemical electrodes
Etching
Gallium arsenide
Gold alloys
Iii-v semiconductors
Metallic thin films
Titanium alloys
Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
收藏
  |  
浏览/下载:66/4
  |  
提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
  |  
浏览/下载:119/2
  |  
提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
收藏
  |  
浏览/下载:89/4
  |  
提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者:
Song HP
;
Shi K
;
Sang L
;
Wei HY
收藏
  |  
浏览/下载:58/3
  |  
提交时间:2011/07/05
Metal organic chemical vapor deposition
Sapphire
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
VAPOR-PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
ZNO NANORODS
RAMAN-SCATTERING
M-PLANE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
NANOWIRES
FIELDS
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2012/02/06
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:35/2
  |  
提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace