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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Schottky barrier heights at the interfaces between pure-phase InAs nanowires and metal contacts 期刊论文 journal of applied physics, 2016, 卷号: 119, 期号: 5, 页码: 054304 Boyong Feng; Shaoyun Huang; Jiyin Wang; Dong Pan; Jianghua Zhao; H. Q. Xu 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/16 Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512 Lv YJ; Lin ZJ; Corrigan TD; Zhao JZ; Cao ZF; Meng LG; Luan CB; Wang ZG; Chen H 收藏  |  浏览/下载：64/6  |  提交时间：2011/07/05 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  GAN  DEPENDENCE  CONTACTS  STATES  NI   Evaluating AlGaN/AlN/GaN heterostructure Schottky barrier heights with flat-band voltage from forward current-voltage characteristics 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 12, 页码: 123504 Lv YJ; Lin ZJ; Meng LG; Yu YX; Luan CB; Cao ZF; Chen H; Sun BQ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/01/06 Effect of co on characteristics of algan/gan schottky diode 期刊论文 Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3025-3027 作者:  Feng Chun;  Wang Xiao-Liang;  Yang Cui-Bai;  Xiao Hong-Ling;  Zhang Ming-Lan 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of CO on characteristics of AlGaN/GaN Schottky diode 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3025-3027 Feng, C; Wang, XL; Yang, CB; Xiao, HL; Zhang, ML; Jiang, LJ; Tang, J; Hu, GX; Wang, JX; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：76/1  |  提交时间：2010/03/08 HEMTS   Thermal annealing behaviour of pt on n-gan schottky contacts 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2003, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 1018-1022 作者:  Wang, J;  Zhao, DG;  Sun, YP;  Duan, LH;  Wang, YT 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Thermal annealing behaviour of Pt on n-GaN Schottky contacts 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2003, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 1018-1022 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：179/3  |  提交时间：2010/08/12 BARRIER FORMATION  DIODES  PD   EFFECTS OF DEEP CENTERS AT PT SI INTERFACES AND HYDROGENATION 期刊论文 applied surface science, 1993, 卷号: 70-71, 期号: 0, 页码: 438-441 HSU CC; DING SA; LU LW; ZHOU J 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/15 CONTROLLING OF SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS FOR AU/N-GAAS AND TI/N-GAAS WITH HYDROGEN INTRODUCED AFTER METAL-DEPOSITION BY BIAS ANNEALING 期刊论文 applied physics letters, 1993, 卷号: 62, 期号: 21, 页码: 2719-2721 JIN SX; WANG HP; YUAN MH; SONG HZ; WANG H; MAO WL; QIN GG; REN ZY; LI BC; HU XW; SUN GS 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 DIODES