×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2008 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2001 [1]
2000 [2]
学科主题
半导体材料 [4]
光电子学 [2]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
A New Edge-Coupled Two-Terminal Double Heterojunction Phototransistor (ECTT-DHPT) and Its DC Characteristics
会议论文
ieee photonicsglobal at singapore, singapore, singapore, dec 08-11, 2008
Wang, LS
;
Zhao, LJ
;
Pan, JQ
;
Zhang, W
;
Wang, H
;
Liang, S
;
Zhu, HL
;
Wang, W
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2010/03/09
P-I-N/HBT
WAVE-GUIDE
INP/INGAAS
FREQUENCY
HBT
Effect of heavy boron doping on the electrical characteristics of SiGeHBTs
期刊论文
semiconductor science and technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 890-895
Yao F (Yao Fei)
;
Xue CL (Xue Chun-Lai)
;
Cheng BW (Cheng Bu-Wen)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
收藏
  |  
浏览/下载:73/0
  |  
提交时间:2010/03/29
HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS
Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585
Ran JX
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Li JP
;
Wang CM
;
Zeng YP
;
Li JM
收藏
  |  
浏览/下载:53/0
  |  
提交时间:2010/04/11
GaN
Mg memory effect
redistribution
AlGaN/GaN HBTs
MOCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS
FABRICATION
Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493
Gao F
;
Huang DD
;
Li JP
;
Kong MY
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:149/5
  |  
提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
semiconducting gegermanium
semiconducting silicon
bipolar transistors
heterojunction semiconductor devices
POWER
Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n Si/SiGe/Si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326
Liu JP
;
Huang DD
;
Li JP
;
Lin YX
;
Sun DZ
;
Kong MY
收藏
  |  
浏览/下载:70/14
  |  
提交时间:2010/08/12
n-type doping
p-type doping
Si/SiGe
HBT
GSMBE
SI
The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
Gao F
;
Huang DD
;
Li JP
;
Lin YX
;
Kong MY
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:89/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GSMBE
SiGe alloy
doping
SIMS
HBT
current gain
SI
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace