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半导体研究所 [16]
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期刊论文 [15]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [2]
2010 [1]
2006 [2]
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Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: 6
作者:
Tang Hai-Ma
;
Zheng Zhong-Shan
;
Zhang En-Xia
;
Yu Fang
;
Li Ning
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Separation by oxygen implantation
Buried oxide
Nitrogen implantation
Positive charge density
Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: article no.56104
作者:
Yu F
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  |  
浏览/下载:93/6
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提交时间:2011/07/06
separation by oxygen implantation
buried oxide
nitrogen implantation
positive charge density
RADIATION HARDNESS
IMPLANTING NITROGEN
ION-IMPLANTATION
IMPROVEMENT
TECHNOLOGY
OXYGEN
LAYER
Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
Chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 6
作者:
Tang Hai-Ma
;
Zheng Zhong-Shan
;
Zhang En-Xia
;
Yu Fang
;
Li Ning
收藏
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浏览/下载:104/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Silicon-on-insulator wafers
Radiation hardness
Nitrogen implantation
Research on nitrogen implantation energy dependence of the properties of SIMON materials
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2006, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 585-587
Zhang EX
;
Sun JY
;
Chen J
;
Chen M
;
Zhang ZX
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Wang X
收藏
  |  
浏览/下载:285/0
  |  
提交时间:2010/04/11
nitrogen
ion implantation
SIMOX
implantation energy
C-V measurement
CHARGE
OXYGEN
OXIDES
LAYERS
Research on nitrogen implantation energy dependence of the properties of SIMON materials
会议论文
14th international conference on ion beam modification of materials (ibmm 2004), pacific grove, ca, sep 05-10, 2004
Zhang EX
;
Sun JY
;
Chen J
;
Chen M
;
Zhang ZX
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Wang X
收藏
  |  
浏览/下载:215/45
  |  
提交时间:2010/03/29
nitrogen
Radiation hardness improvement of separation-by-implantation-of-oxygen/silicon-on-insulator material by nitrogen ion implantation
期刊论文
journal of electronic materials, 2005, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: l53-l56
Zhang EX
;
Sun JY
;
Chen J
;
Zhang ZX
;
Wang X
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Liu ZL
收藏
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浏览/下载:193/29
  |  
提交时间:2010/03/17
silicon-on-insulator (SOI)
Magnetic properties of mn-implanted n-type ge
期刊论文
Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 106-110
作者:
Liu, LF
;
Chen, NF
;
Chen, CL
;
Li, YL
;
Yin, ZG
收藏
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浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Ferromagnetism
Ion implantation
Mnxge1-x
Investigation of mn-implanted n-type ge
期刊论文
Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 3-4, 页码: 466-470
作者:
Liu, LF
;
Chen, NF
;
Yin, ZG
;
Yang, F
;
Zhou, JP
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Auger electron spectroscopy
X-ray diffraction
Ion implantation
Semiconducting germanium
Silicon-on-insulating multi-layers for total-dose irradiation hardness
期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 1600-1603
Zhang EX
;
Yi WB
;
Liu XH
;
Chen M
;
Liu ZL
;
Xi W
收藏
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浏览/下载:379/54
  |  
提交时间:2010/03/09
IMPLANTATION
Formation of total-dose-radiation hardened materials by sequential oxygen and nitrogen implantation and multi-step annealing
期刊论文
semiconductor science and technology, 2004, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 571-573
Yi WB
;
Zhang EX
;
Chen M
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Liu ZL
;
Wang X
收藏
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浏览/下载:179/57
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提交时间:2010/03/09
LAYERS
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