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半导体研究所 [28]
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专题:半导体研究所
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Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
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浏览/下载:66/4
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提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
收藏
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浏览/下载:80/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:33/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers
期刊论文
thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Deng SK (Deng Shukang)
;
Shen LX (Shen Lanxian)
;
Yang PZ (Yang Peizhi)
;
Tu JL (Tu Jielei)
;
Liao H (Liao Hua)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/12/28
Gallium Arsenide
Gallium antimonide
Gallium antimonide/Aluminum antimonide
Superlattices
Molecular Beam Epitaxy
VAPOR-PHASE EPITAXY
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
TEMPERATURE
RELAXATION
DETECTORS
GAAS(001)
MOCVD
FILMS
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
buffer layer
LPCVD
Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415
作者:
Jia CH
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浏览/下载:173/14
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提交时间:2010/03/08
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
ZINC-OXIDE
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
SAPPHIRE
SURFACE
GROWTH
The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD
期刊论文
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055001
作者:
Yang H
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:88/41
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ELECTRON-TRANSPORT
BAND-GAP
FILMS
SAPPHIRE
Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237
作者:
Zhao J
收藏
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浏览/下载:43/4
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提交时间:2011/07/05
ZnO
Pulsed laser deposition
X-ray diffraction
Photoluminescence
Reflection high-energy electron diffraction
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
PLD TECHNIQUE
GROWTH
SAPPHIRE
TEMPERATURE
A simple route of morphology control and structural and optical properties of ZnO grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3063-3066
Fan, HB
;
Yang, SY
;
Zhang, PF
;
Wei, HY
;
Liu, XL
;
Jiao, CM
;
Zhu, QS
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
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浏览/下载:80/3
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提交时间:2010/03/08
SINGLE-CRYSTAL
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
NANORODS
FILMS
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