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半导体研究所 [68]
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期刊论文 [64]
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专题:半导体研究所
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Cathodoluminescence of yellow and blue luminescence in undoped semi-insulating gan and n-gan
期刊论文
Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 4
作者:
Hou Qi-Feng
;
Wang Xiao-Liang
;
Xiao Hong-Ling
;
Wang Cui-Mei
;
Yang Cui-Bai
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 335102
He JF
;
Wang HL
;
Shang XJ
;
Li MF
;
Zhu Y
;
Wang LJ
;
Yu Y
;
Ni HQ
;
Xu YQ
;
Niu ZC
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/01/06
1.3 MU-M
STRAIN RELIEF
LASERS
SUBSTRATE
PHOTOLUMINESCENCE
DISLOCATIONS
OPERATION
RANGE
A practical route towards fabricating GaN nanowire arrays
期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 5929-5935
Liu, JQ
;
Huang, J
;
Gong, XJ
;
Wang, JF
;
Xu, K
;
Qiu, YX
;
Cai, DM
;
Zhou, TF
;
Ren, GQ
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2012/02/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
WELL NANOROD ARRAYS
ULTRAVIOLET-LIGHT
GROWTH
NANOGENERATORS
DISLOCATIONS
BRIGHTNESS
LAYERS
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Cathodoluminescence of Yellow and Blue Luminescence in Undoped Semi-insulating GaN and n-GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.37102
Hou QF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Yin HB
;
Li JM
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:42/4
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提交时间:2011/07/05
EPITAXIAL LAYERS
PHOTOLUMINESCENCE
ABSORPTION
CARBON
BAND
Preparation and optical performance of freestanding gan thick films
期刊论文
Rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:
Hu Qiang
;
Wei Tongbo
;
Duan Ruifei
;
Yang Jiankun
;
Huo Ziqiang
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Hvpe
Freestanding thick films
Stress release
Photoluminescence
Quantitative strain characterization of sige heterostructures by high-resolution transmission electron microscopy
期刊论文
Physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 16, 页码: 3433-3435
作者:
Zhao, C. W.
;
Xing, Y. M.
;
Yu, J. Z.
;
Han, G. Q.
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Si/ge heterostructures
Strain
High-resolution transmission electron
Microscopy
Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Peng HW (Peng Haowei)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Wang LW (Wang Lin-Wang)
;
Wei SH (Wei Su-Huai)
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/12/27
IMPURITIES
GAAS1-XNX
NITROGEN
GAINNAS
STATES
TRAPS
Preparation and Optical Performance of Freestanding GaN Thick Films
期刊论文
rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:
Wei TB
;
Yang JK
;
Duan RF
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浏览/下载:58/10
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提交时间:2011/07/05
GaN
HVPE
freestanding thick films
stress release
photoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
GROWTH
PRESSURE
HVPE
Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in inn films grown by mocvd
期刊论文
Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:
Zhang Zeng
;
Zhang Rong
;
Xie Zi-Li
;
Liu Bin
;
Xiu Xiang-Qian
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Inn
Dislocation
Carrier origination
Localization
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